用于处理基板的装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及用于处理基板的装置和方法，所述装置包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；基板支承单元，其在处理空间中支承基板；气体供应单元，其将气体供应到处理空间中；和等离子体生成单元，等离子体生成单元包括RF电源，所述RF电源施加RF功率，其中等离子体生成单元通过使用RF功率从气体生成等离子体。基板支承单元包括：支承板，其支承基板；和加热单元，其控制基板的温度。加热单元包括：多个加热构件，其设置在支承板的不同区域中；加热器电源，其将功率施加至多个加热构件；滤波器，其防止多个加热构件与RF电源之间的耦合；和检测单元，其设置在多个加热构件与滤波器之间，且检测支承板的各个区域的等离子体特性。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置和方法相关申请的交叉引用本申请请求于2019年6月27日递交韩国知识产权局的第10-2019-0076766号韩国专利申请在35U.S.C.§119下的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用合并于此。
本文中所描述的本专利技术构思的实施方案涉及一种用于处理基板的装置和方法，更具体地，涉及一种用于检测支承板的各个区域的等离子体特性的基板处理装置和方法。
技术介绍
为了制造半导体元件，通过在基板上执行诸如光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积和清洁等的各种工艺，在基板上形成所需图案。在这些工艺中，蚀刻工艺为去除形成在基板上的膜的选定的区域的工艺，且使用湿法蚀刻或干法蚀刻。使用等离子体的蚀刻装置用于干法蚀刻。通常，为了形成等离子体，蚀刻装置在腔室的内部空间中形成电磁场，并且该电磁场将腔室内的工艺气体激发成等离子体状态。等离子体是指含有离子、电子、和基团的物质的离子化气态。通过将惰性气体加热到很高的温度或使惰性气体经受强电场或射频(RadioFrequency，RF)电磁场来产生等离子体。半导体元件制造本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：/n腔室，在所述腔室中具有处理空间；/n基板支承单元，其配置为在所述处理空间中支承所述基板；/n气体供应单元，其配置为将气体供应到所述处理空间中；和/n等离子体生成单元，其包括RF电源，所述RF电源配置为施加RF功率，所述等离子体生成单元配置为通过使用所述RF功率从所述气体生成等离子体，/n其中，所述基板支承单元包括：/n支承板，其配置为支承所述基板；/n加热单元，其配置为控制所述基板的温度，以及/n其中，所述加热单元包括：/n多个加热构件，其设置在所述支承板的不同区域中；/n加热器电源，其配置为将功率施加至所述多个加热构件；/n滤波器，其配置为防止所...

【技术特征摘要】
20190627 KR 10-2019-00767661.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
腔室，在所述腔室中具有处理空间；
基板支承单元，其配置为在所述处理空间中支承所述基板；
气体供应单元，其配置为将气体供应到所述处理空间中；和
等离子体生成单元，其包括RF电源，所述RF电源配置为施加RF功率，所述等离子体生成单元配置为通过使用所述RF功率从所述气体生成等离子体，
其中，所述基板支承单元包括：
支承板，其配置为支承所述基板；
加热单元，其配置为控制所述基板的温度，以及
其中，所述加热单元包括：
多个加热构件，其设置在所述支承板的不同区域中；
加热器电源，其配置为将功率施加至所述多个加热构件；
滤波器，其配置为防止所述多个加热构件与所述RF电源之间的耦合；和
检测单元，其设置在所述多个加热构件与所述滤波器之间，且配置为检测所述支承板的各个区域的等离子体特性。


2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述检测单元包括：
测量构件，其配置为分别测量所述多个加热构件所位于的区域中的电压和电流；和
控制构件，其配置为基于所述区域中的所述电压和所述电流、来检测所述支承板的所述各个区域的所述等离子体特性。


3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述检测单元还包括显示构件，所述显示构件配置为显示所述支承板的所述各个区域的所述电压和所述电流。


4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述显示构件为数字化仪。


5.根据权利要求2所述的装置，其中，所述等离子体生成单元基于所述支承板的所述各个区域的所述等离子体特性、来均匀地控制所述支承板的整个区域中的等离子体密度。


6.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
腔室，在所述腔室中具有处理空间；
基板支承单元，其配置为在所述处理空间中支承所述基板；
气体供应单元，其配置为将气体供应到所述处理空间中；和<...

【专利技术属性】
技术研发人员：全炳建，金铉镇，尹基星，成哓星，安宗焕，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR