离子植入系统以及去除其的射束线构件上沉积物的方法技术方案

本文提供离子植入系统以及去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法。所述离子植入系统，包括：离子源，被配置为形成离子束；射束线构件；以及气体源，被配置为向所述射束线构件供应气体，其中所述气体源被配置成通过沉积物与所述气体的反应来刻蚀沉积在所述射束线构件的表面上的所述沉积物。所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法，所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法包括：在对所述射束线构件进行离子轰击期间通过离子束向与所述射束线构件相关联的一或多个区域供应所述气体，其中所述离子轰击加热所述射束线构件的表面，以辅助所述气体与所述射束线构件的所述表面上的所述沉积物之间的化学反应。

【技术实现步骤摘要】
离子植入系统以及去除其的射束线构件上沉积物的方法本申请是中国申请号为201680033326.1，专利技术名称为“离子植入系统以及原位等离子清洗方法”的专利申请的分案申请，原申请的申请日是2016年6月2日。
本专利技术大体涉及用于制造电子装置的技术，且更明确地说，涉及用于改善处理室内的构件的性能且延伸其使用期限的离子植入系统以及去除其的射束线构件上沉积物的方法。
技术介绍
离子植入为经由轰击将掺杂剂或杂质引入到衬底内的工艺。在半导体制造中，引入掺杂剂以更改电、光学或机械性质。举例来说，可将掺杂剂引入到本征半导体内以更改衬底的传导率的类型和等级。在制造集成电路(integratedcircuit；IC)过程中，精确的掺杂分布提供改善的IC性能。为了达成所要的掺杂分布，可以离子的形式按各种剂量和各种能级植入一或多种掺杂剂。离子植入系统可包括离子源和一系列射束线构件。离子源可包括产生所要的离子的腔室。离子源还可包括安置于腔室附近的电源与提取电极组合件。射束线构件可包含(例如)质量分析器、第一加速或减速级、准直器和第二加速或减速级。与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子植入系统，包括：/n离子源，被配置为形成离子束；/n射束线构件；以及/n气体源，被配置为向所述射束线构件供应气体，/n其中所述气体源被配置成通过沉积物与所述气体的反应来刻蚀沉积在所述射束线构件的表面上的所述沉积物。/n

【技术特征摘要】
20150612 US 62/174,906;20150807 US 14/820,7471.一种离子植入系统，包括：
离子源，被配置为形成离子束；
射束线构件；以及
气体源，被配置为向所述射束线构件供应气体，
其中所述气体源被配置成通过沉积物与所述气体的反应来刻蚀沉积在所述射束线构件的表面上的所述沉积物。


2.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述气体源包括蚀刻剂气体。


3.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述射束线构件为静电滤波器。


4.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述气体源被配置为向所述射束线构件的腔室部分供应所述气体。


5.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述气体包括含有H、He、N、O、F、Ne、Cl、Ar、Kr和Xe或其组合的原子或分子物质。


6.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述气体包括NF3、O2、Ar与F2的混合物或其组合。


7.根据权利要求1所述的离子植入系统，其中所述气体源被配置为...

【专利技术属性】
技术研发人员：凯文·安葛林，威廉·戴维斯·李，彼得·库鲁尼西，里安·道尼，杰·T·舒尔，亚历山大·利坎斯奇，威廉·M·贺伯，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：美国;US