多束检查装置制造方法及图纸

公开了一种带电粒子束装置的改进的源转换单元。源转换单元包括第一微结构阵列，该第一微结构阵列包括多个微结构。多个微结构被分组为一个或多个组。一个组中的微结构的对应电极由驱动器电连接和驱动以影响对应的一组束波。一个组中的微结构可以是单极结构或多极结构。一个组中的微结构具有相对于装置的光轴的相同或基本相同的径向偏移。一个组中的微结构相对于其径向偏移方向具有相同或基本相同的取向角。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多束检查装置相关申请的交叉引用本申请要求于2018年5月1日提交的美国申请62/665,451的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本文中提供的实施例公开了一种多束检查装置，并且更具体地，公开了一种包括改进的源转换单元的多束检查装置。
技术介绍
当制造半导体集成电路(IC)芯片时，在制造过程中，图案缺陷和/或不请自来的颗粒(残留物)不可避免地出现在晶片和/或掩模上，从而大大降低了成品率。例如，对于具有较小关键特征尺寸(已经被采用以满足IC芯片的越来越高的性能要求)的图案，不请自来的颗粒可能会很麻烦。具有单个电子束的图案检查工具已经用于检测缺陷和/或不请自来的颗粒。这些工具通常采用扫描电子显微镜(SEM)。在SEM中，具有相对较高能量的初级电子束被减速以便以相对较低的着陆能量着陆在样品上，并且被聚焦以在其上形成探测斑点。由于初级电子的这种聚焦的探测斑点，将从表面生成二次电子。通过在样品表面之上扫描探测斑点并且收集二次电子，图案检查工具可以获取样品表面的图像。
技术实现思路
本公开的实施例提供了一种多束本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微结构阵列，所述阵列包括：/n第一组多极结构，具有相对于所述阵列的中心轴线的第一径向偏移和第一取向角，其中所述第一径向偏移相等或基本相等，所述第一组多极结构的所述第一取向角相等或基本相等，并且所述第一组多极结构包括由第一驱动器电连接和驱动的对应电极。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180501 US 62/665,4511.一种微结构阵列，所述阵列包括：
第一组多极结构，具有相对于所述阵列的中心轴线的第一径向偏移和第一取向角，其中所述第一径向偏移相等或基本相等，所述第一组多极结构的所述第一取向角相等或基本相等，并且所述第一组多极结构包括由第一驱动器电连接和驱动的对应电极。


2.根据权利要求1所述的微结构阵列，其中所述第一驱动器被配置为使得所述第一组多极结构能够用作微偏转器，以使带电粒子多束装置中的第一组束波偏转。


3.根据权利要求1所述的微结构阵列，其中所述第一驱动器被配置为使得所述第一组多极结构能够用作微消像散器，以补偿带电粒子多束装置中的第一组束斑的像散像差。


4.根据权利要求2所述的微结构阵列，还包括第二组多极结构，所述第二组多极结构具有相对于所述中心轴线的第二径向偏移和第二取向角，其中所述第二径向偏移相等或基本相等，并且所述第二组多极结构的所述第二取向角相等或基本相等，并且所述第二组多极结构包括由第二驱动器电连接和驱动的对应电极。


5.根据权利要求4所述的微结构阵列，其中所述第二驱动器被配置为使得所述第二组多极结构能够用作微偏转器，以使所述带电粒子多束装置中的第二组束波偏转。


6.根据权利要求4所述的微结构阵列，其中所述第二驱动器被配置为使得所述第二组多极结构能够用作微消像散器，以补偿所述带电粒子多束装置中的第二组束斑的像散像差。


7.根据权利要求2所述的微结构阵列，还包括第一组单极结构，所述第一组单极结构具有相对于所述中心轴线的第二径向偏移，其中所述第二径向偏移相等或基本相等，并且所述第一组单极结构包括由第二驱动器电连接和驱动的对应电极。


8.根据权利要求7所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡学让，刘学东，陈仲玮，任伟明，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL