【技术实现步骤摘要】
抑制电磁干扰及漏波的结构、射频电源及等离子刻蚀设备
本专利技术涉及射频微波/半导体设备
，尤其涉及的是一种抑制电磁干扰及漏波的结构、射频电源及等离子刻蚀设备。
技术介绍
射频电源典型的应用是作为等离子刻蚀的前端。等离子刻蚀发生的场所称为等离子体腔，在等离子体未点燃时，相当于真空腔。当加入高功率能量时，等离子体点燃，阻抗迅速从原来的高阻抗下降，从而轰击至预先放置的靶材上，使得靶材带正电，与材料进行反应，完成刻蚀过程。由于射频电源在工作时，等离子体的阻抗随气体的状态时刻变化，如果阻抗失配，腔室内的气体无法获得足够的能量激发等离子体，工作状态就会出现异常。因此在射频电源和反应腔室之间往往部署有自动阻抗匹配箱以获得自适应阻抗的变化。但射频电源的工作功率变化时，自动阻抗匹配箱的阻抗调整速度往往需要一定的响应时间。在响应时间内射频电源和反应腔室处于阻抗失配状态，而阻抗失配带来的问题是反射功率过大对系统模块的冲击，导致系统散热不良、元器件损坏、各类谐波过高、EMI过大，甚至泄露电磁波，对人体造成伤害。而关于电磁波泄露...
【技术保护点】
1.一种抑制电磁干扰及漏波的结构，其特征在于，包括射频电源壳体以及设置在射频电源壳体内壁上的多个具有一定深度的凹腔，射频电源的电磁干扰入射到凹腔内，经过凹腔的多重反射及散射实现衰减。/n
【技术特征摘要】
1.一种抑制电磁干扰及漏波的结构，其特征在于，包括射频电源壳体以及设置在射频电源壳体内壁上的多个具有一定深度的凹腔，射频电源的电磁干扰入射到凹腔内，经过凹腔的多重反射及散射实现衰减。
2.根据权利要求1所述的抑制电磁干扰及漏波的结构，其特征在于，所述多个凹腔呈阵列排列分布。
3.根据权利要求1所述的抑制电磁干扰及漏波的结构，其特征在于，左右两个相邻凹腔之间的间距与射频电源的工作频率正相关，上下两个相邻凹腔之间的间距与射频电源的工作频率正相关。
4.根据权利要求1所述的抑制电磁干扰及漏波的结构，其特征在于，所述凹腔与所在的射频电源壳体内壁互相平行的截面的形状为椭圆或圆形或多边形。
5.根据权利要求3所述的抑制电磁干扰及漏波的结构，其特征在于，当凹腔与所在的射频电源壳体内壁互相平行的截面的形状采用多边形时，左右两个相邻凹腔之间的间距与射频电源的工作频率的关系、上下两个相邻凹腔之间的间距与射频电源的工作频率之间的关系、凹腔与射频电源的工作频率之间的关系如下：...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈浩，胡琅，姚龙，马聪伟，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。