【技术实现步骤摘要】
一种等离子处理装置及其方法
本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种等离子处理装置及其方法。
技术介绍
等离子处理装置利用真空反应室的工作原理进行半导体基片和等离子平板的基片的加工。真空反应室的工作原理是在真空反应室中通入含有适当刻蚀剂或淀积源气体的反应气体，然后再对该真空反应室进行射频能量输入，以激活反应气体，来点燃和维持等离子，以便分别刻蚀基片表面上的材料层或在基片表面上淀积材料层，进而对半导体基片和等离子平板进行加工。举例来说，电容性等离子反应器已经被广泛地用来加工半导体基片和显示器平板，在电容性等离子反应器中，当射频功率被施加到二个电极之一或二者时，就在一对平行电极之间形成电容性放电。在半导体基片处理过程中，基片处理产生的反应副产物也可能会随之停留在真空反应腔内。举例来说，反应副产物可能充满真空反应腔下方的处理区域内部或外面的区域。若反应副产物到达这些区域，则这些区域可能随之发生腐蚀、淀积或者侵蚀，这会造成反应腔内部的颗粒玷污，进而降低等离子处理装置的重复使用性能，并可能会缩短反应腔或反应室零部件的工作...
【技术保护点】
1.一种等离子处理装置，包含一真空反应腔，所述真空反应腔内包含一个用于支撑基片的基座，所述真空反应腔的下方还设置一真空泵，用于将反应副产物排出所述真空反应腔，其特征在于，所述等离子处理装置包含：/n多个安装紧固件，用于将所述真空泵固定在所述真空反应腔的腔体上；/n至少一个缓冲装置，通过所述安装紧固件固定在所述真空泵和所述真空反应腔的腔体之间，所述缓冲装置设有形变空间，所述缓冲装置通过所述形变空间产生位移变形以吸收所述真空泵的部分动能。/n
【技术特征摘要】
1.一种等离子处理装置，包含一真空反应腔，所述真空反应腔内包含一个用于支撑基片的基座，所述真空反应腔的下方还设置一真空泵，用于将反应副产物排出所述真空反应腔，其特征在于，所述等离子处理装置包含：
多个安装紧固件，用于将所述真空泵固定在所述真空反应腔的腔体上；
至少一个缓冲装置，通过所述安装紧固件固定在所述真空泵和所述真空反应腔的腔体之间，所述缓冲装置设有形变空间，所述缓冲装置通过所述形变空间产生位移变形以吸收所述真空泵的部分动能。
2.如权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述缓冲装置由塑性材料或钢或铝或铜制成。
3.如权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述缓冲装置为垫片。
4.如权利要求3所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述垫片设置有至少一个第一开孔，供所述安装紧固件插入以固定所述真空泵。
5.如权利要求3或4所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述垫片还包括一第二开孔，所述第二开孔容纳垫圈锁紧销或螺钉以将所述垫片固定在所述真空泵上。
6.如权利要求5所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述垫片还包括一第三开孔，所述第三开孔容纳垫圈锁紧销或螺钉以将所述垫片固定在所述真空泵上，所述第二开孔和第三开孔位于所述第一开孔的两侧。
7.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄允文，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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