喷头单元及具有该喷头单元的基板处理系统技术方案

本发明专利技术提供一种喷头单元及具有该喷头单元的基板处理系统，该喷头单元利用面状发热体能够按区域调节温度。所述基板处理系统包括：壳体；喷头单元，设置在壳体的内部上侧，并且用于向壳体的内部引入用于蚀刻基板的工艺气体；以及静电卡盘，设置在壳体的内部下侧，并且用于放置基板，其中，喷头单元以面状发热体设置在多个区域，并按区域控制温度。

【技术实现步骤摘要】
喷头单元及具有该喷头单元的基板处理系统
本专利技术涉及一种喷头单元及具有该喷头单元的基板处理系统。更具体地，本专利技术涉及具有加热器的喷头单元及具有该喷头单元的基板处理系统。
技术介绍
半导体器件可以通过在基板上形成预定图案来制造。当在基板上形成预定图案时，可以在用于半导体制造工艺的设备内部连续地执行诸如沉积工艺(depositingprocess)、蚀刻工艺(lithographyprocess)和蚀刻工艺(etchingprocess)的多个工艺。
技术实现思路
解决的技术问题用于制造半导体器件的干蚀刻工艺(dryetchingprocess)可以在工艺腔室(processchamber)中进行。在这种工艺腔室内，使用喷头(showerhead)来提供用于蚀刻基板(例如，晶片(wafer))的工艺气体。喷头具有用于加热工艺气体的加热器(heater)。然而，由于传统的喷头使用线形发热体作为加热器，因此可能难以控制中央区域(centerzone)和边缘区域(edgezone)之间的温度。本专利技术要解决的技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基板处理系统，包括：/n壳体；/n喷头单元，设置在所述壳体的内部上侧，并且向所述壳体的内部引入用于蚀刻基板的工艺气体；以及/n静电卡盘，设置在所述壳体的内部下侧，并且用于放置所述基板，/n其中，所述喷头单元以面状发热体设置在多个区域中，并按区域控制温度。/n

【技术特征摘要】
20190703 KR 10-2019-00798741.基板处理系统，包括：
壳体；
喷头单元，设置在所述壳体的内部上侧，并且向所述壳体的内部引入用于蚀刻基板的工艺气体；以及
静电卡盘，设置在所述壳体的内部下侧，并且用于放置所述基板，
其中，所述喷头单元以面状发热体设置在多个区域中，并按区域控制温度。


2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，所述喷头单元包括：
喷头板，具有多个第一孔，并且通过所述第一孔向所述壳体的内部喷射所述工艺气体；
下部板，设置在所述喷头板上，并且具有与所述第一孔连接并形成有台阶部的多个第二孔；
上部板，设置在所述下部板上，并且用于将所述工艺气体分配到所述第二孔；以及
加热部件，设置在所述喷头板上，并且以所述面状发热体分别设置在中央区域、中间区域及边缘区域中。


3.根据权利要求2所述的基板处理系统，其中，
所述加热部件设置在所述下部板和所述上部板之间，或者设置在所述下部板的内部，或者设置在所述喷头板和所述下部板之间。


4.根据权利要求2所述的基板处理系统，其中，所述加热部件包括：
第一发热体，以所述面状发热体设置在所述中央区域中；
第二发热体，以所述面状发热体设置在所述中间区域中；
第三发热体，以所述面状发热体设置在所述边缘区域中；
电力供给部，向所述第一发热体、所述第二发热体和所述第三发热体提供电信号从而使得所述第一发热体、所述第二发热体和所述第三发热体发热；
温度测量部，用于测量所述第一发热体、所述第二发热体和所述第三发热体的温度；以及
控制部，根据温度测量结果控制所述第一发热体、所述第二发热体和所述第三发热体的温度。


5.根据权利要求4所述的基板处理系统，其中，
所述电力供给部和所述温度测量部中的至少一个通过形成在所述上部板上的多个第三孔与所述第一发热体、所述第二发热体和所述第三发热体连接。


6.根据权利要求4所述的基板处理系统，其中，
所述控制部通过比例积分微分控制来均匀地保持所述第一发热体、所述第二发热体和所述第三发热体的温度。


7.根据权利要求4所述的基板处理系统，其中，
所述第一发热体、所述第二发热体和所述第三发热体中的至少两个发热体彼此电连接，或者所述第一发热体、所述第二发热体和所述第三发热体彼此电隔离。


8.根据权利要求4所述的基板处理系统，其中，
所述第三发热体包括多个第四孔，所述多个第四孔的内周表面上设置有陶瓷管。


9.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中，
所述面状发热体以具有耐热性的物质作为材料制成，且具有耐热性的所述物质包含陶瓷、氮化铝及氧化铝中的至少一种成分。

<...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩有东，金善玉，金铉珪，孙亨圭，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR