【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置和方法相关申请的交叉引用本申请请求分别于2019年7月1日和2019年9月4日递交韩国知识产权局的第10-2019-0078610号和10-2019-0109432号韩国专利申请的在35U.S.C.§119下的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用合并于此。
本文描述的本专利技术构思的实施方案涉及一种用于处理基板的装置和方法，更具体地，涉及一种具有用于防止加热器和RF电源耦合的滤波器的基板处理装置，以及该基板处理装置的基板处理方法。
技术介绍
为了制造半导体元件，通过在基板上执行诸如光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积和清洁等的各种工艺，在基板上形成所需图案。在这些工艺中，蚀刻工艺为去除形成在基板上的膜的选定的区域的工艺，且使用湿法蚀刻和干法蚀刻。使用等离子体的蚀刻装置用于干法蚀刻。通常，为了形成等离子体，蚀刻装置在腔室的内部空间中形成电磁场，并且该电磁场将腔室内的工艺气体激发成等离子体状态。等离子体是指含有离子、电子、和基团的物质的离子化气态。通过将惰性气体加热到很高的温...
【技术保护点】
1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：/n腔室，在所述腔室中具有处理空间；/n基板支承单元，其配置为在所述处理空间中支承所述基板；/n气体供应单元，其配置为将气体供应到所述处理空间中；和/n等离子体生成单元，其包括RF电源，所述RF电源配置为施加RF功率，所述等离子体生成单元配置为通过使用所述RF功率从所述气体生成等离子体，/n其中，所述基板支承单元包括：/n支承板，其配置为支承所述基板；/n加热单元，其配置为控制所述基板的温度，/n其中，所述加热单元包括：/n加热构件；/n加热器电源，其配置为向所述加热构件施加功率；/n滤波器单元，其配置为防止所述加热构件与所述RF电...
【技术特征摘要】
20190701 KR 10-2019-0078610;20190904 KR 10-2019-011.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
腔室，在所述腔室中具有处理空间；
基板支承单元，其配置为在所述处理空间中支承所述基板；
气体供应单元，其配置为将气体供应到所述处理空间中；和
等离子体生成单元，其包括RF电源，所述RF电源配置为施加RF功率，所述等离子体生成单元配置为通过使用所述RF功率从所述气体生成等离子体，
其中，所述基板支承单元包括：
支承板，其配置为支承所述基板；
加热单元，其配置为控制所述基板的温度，
其中，所述加热单元包括：
加热构件；
加热器电源，其配置为向所述加热构件施加功率；
滤波器单元，其配置为防止所述加热构件与所述RF电源的耦合；和
其中，所述滤波器单元包括：
滤波器，其配置为干扰从所述RF电源供应的所述RF功率；以及
滤波器控制单元，其配置为防止所述滤波器的性能劣化。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述滤波器控制单元包括：
第一可变元件，其与所述滤波器串联连接；
第二可变元件，其与所述滤波器并联连接；以及
控制器，其配置为调节所述第一可变元件和所述第二可变元件的阻抗值。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述控制器通过调节所述第一可变元件的所述阻抗值来补偿由所述滤波器单元引起的所述等离子体生成单元的阻抗变化。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述控制器通过调节所述第二可变元件的所述阻抗值、来调节所述滤波器单元的谐振点。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的装置，其中，所述第一可变元件和所述第二可变元件为可变电容器。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述滤波器包括并联连接在一起的电感器和电容器，
其中，所述第二可变元件、与所述电感器和所述电容器并联连接，以及
其中，所述第一可变元件，与所述电感器、所述电容器和所述第二可变元件串联连接。
7.根据权利要2所述的装置，其中，所述加热单元还包括电压测量构件，所述电压测量构件配置为测量施加有所述RF功率的下电极的电压，并且
其中，所述控制器基于所述下电极的所述电压、调节所述第一可变元件和所述第二可变元件的所述阻抗值。
8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述控制器通过调节所述第一可变元件和所述第二可变元件的所述阻抗值、来执行控制，使得所述下电极的所述电压具有预设值。
9.根据权利要求2所述的装置，其中，所述加热器电源为交流AC电源。
10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述滤波器单元还包括加热器电源滤波器，所述加热器电源滤波器设置在所述滤波器和所述加热器电源之间、并配置为干扰从所述加热器电源供应的功率中的预设频率范围。
11.根据权利要求1...
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