支承单元和包括该支承单元的基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及支承单元和包括该支承单元的基板处理装置。一种支承单元，其设置在使用等离子体用于处理基板的装置中，所述支承单元包括：介电板，所述基板放置在所述介电板上；电极板，其设置在所述介电板的下方；电源棒，其将功率施用至所述电极板；以及凸缘，其具有围绕所述电源棒的形状，并且所述凸缘与所述电源棒间隔开。

【技术实现步骤摘要】
支承单元和包括该支承单元的基板处理装置相关申请的交叉引用本申请请求分别于2019年7月2日递交韩国知识产权局的第10-2019-0079203号韩国专利申请，其全部内容通过引用合并于此。
本文描述的本专利技术构思的实施方案涉及一种支承单元以及包括该支承单元的基板处理装置。
技术介绍
通过将中性气体加热至非常高的温度或使该中性气体经受强电场或射频(radiofrequency,RF)电磁场来产生等离子体，并且该等离子体是指含有离子、电子和自由基的物质的电离气态。半导体元件制造工艺可以包括使用等离子体的蚀刻工艺和灰化工艺等。通过等离子体中含有的离子和自由基与基板的碰撞，执行使用等离子体处理基板、诸如晶圆的工艺。通常，使用等离子体用于处理基板的装置包括电极和下电极，以便将气体激发成等离子体。例如，如图1所示，使用等离子体用于处理基板的常规装置包括支承基板的静电卡盘1。静电卡盘1包括下电极2、绝缘构件3和导电构件4。导电构件4为接地的。下电极2与RF棒(RFrod)5耦合。下电极2与RF棒5电连接。RF棒5与电源6连接。电源6将本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种支承单元，其设置在使用等离子体用于处理基板的装置中，所述支承单元包括：/n介电板，所述基板放置在所述介电板上；/n电极板，其设置在所述介电板的下方；/n电源棒，其配置为将功率施用至所述电极板；以及/n凸缘，其具有围绕所述电源棒的形状，所述凸缘与所述电源棒间隔开。/n

【技术特征摘要】
20190702 KR 10-2019-00792031.一种支承单元，其设置在使用等离子体用于处理基板的装置中，所述支承单元包括：
介电板，所述基板放置在所述介电板上；
电极板，其设置在所述介电板的下方；
电源棒，其配置为将功率施用至所述电极板；以及
凸缘，其具有围绕所述电源棒的形状，所述凸缘与所述电源棒间隔开。


2.根据权利要求1所述的支承单元，其中，所述凸缘为接地的。


3.根据权利要求2所述的支承单元，其中，所述凸缘设置成围绕所述电源棒的一部分、并且通过升降构件在上下方向上移动。


4.根据权利要求3所述的支承单元，其中，所述升降构件包括：
气缸，其包括凸轮轴，所述凸轮轴在第一方向上为可移动的；以及
滚轮轴，其配置为与所述凸轮轴接触，所述滚轮轴通过所述凸轮轴的移动、在与所述第一方向不同的第二方向上为可移动的。


5.根据权利要求4所述的支承单元，其中，所述凸缘与所述滚轮轴耦合。


6.根据权利要求3所述的支承单元，其中，所述升降构件包括：
齿条，其与致动器连接，所述齿条在第一方向上为可移动的；以及
小齿轮，其与所述齿条接合，所述小齿轮通过所述齿条的移动、在与所述第一方向不同的第二方向上为可移动的。


7.根据权利要求6所述的支承单元，其中，所述升降构件还包括升降轴，所述升降轴连接至所述小齿轮、并在所述第二方向上延伸；并且
其中，所述凸缘与所述升降轴连接。


8.根据权利要求6所述的支承单元，其中，所述齿条具有相对于所述第一方向向上倾斜的形状。


9.根据权利要求3所述的支承单元，其中，所述升降构件包括：
电机，其包括驱动轴；
成对锥齿轮，其与所述驱动轴连接；以及
升降轴，其配置为通过所述成对锥齿轮的旋转、在所述上下方向上移动。


10.根据权利要求3-9中任一项所述的支承单元，其中，所述凸缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙亨圭，韩有东，金铉珪，金善玉，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR