用于处理基板的装置和方法制造方法及图纸

本申请涉及一种用于处理基板的装置和方法。所述装置包括：腔室，所述腔室中具有处理空间；支承单元，其在所述处理空间中支承所述基板；气体供应单元，其将用于处理所述基板的工艺气体供应到所述处理空间中；等离子体源，其通过激发供应到所述处理空间中的所述工艺气体来产生等离子体；加热器，其加热用于所述基板的不同区域的所述支承单元；加热器电源，其将功率施用到所述加热器；多条加热器电缆，其将所述功率输送到所述加热器；以及配置为接地的可变电容器，所述配置为接地的可变电容器分别连接到所述多条加热器电缆。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置和方法相关申请的交叉引用本申请请求于2019年7月3日递交韩国知识产权局的第10-2019-0080332号韩国专利申请的在35U.S.C.§119下的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用合并于此。
本文中描述的本专利技术构思的实施方案涉及一种用于处理基板的装置和方法，更具体地，涉及一种包括可变电容器的基板处理装置，该可变电容器配置为接地并连接至电缆。
技术介绍
为了制造半导体元件，通过执行诸如光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积和清洁等的各种工艺，而在基板上形成所需图案。在这些工艺中，蚀刻工艺是去除形成在基板上的膜的选定区域的工艺。蚀刻工艺分为湿法蚀刻工艺和干法蚀刻工艺。使用等离子体的蚀刻装置用于干法蚀刻工艺。通常，为了产生等离子体，在腔室的内部空间中形成电磁场。电磁场将腔室中的工艺气体激发成等离子体。等离子体是指含有离子、电子和基团(radical)的物质的离子化气态(ionizedgaseousstate)。该等离子体由非常高的温度、强电场或射频(RF)电磁场产生。半导体元件制造工艺使用等离子体来执行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：/n腔室，在所述腔室中具有处理空间；/n支承单元，其配置为在所述处理空间中支承所述基板；/n气体供应单元，其配置为将用于处理所述基板的工艺气体供应到所述处理空间中；/n等离子体源，其配置为通过激发供应到所述处理空间中的所述工艺气体来产生等离子体；/n加热器，其配置为加热用于所述基板的不同区域的所述支承单元；/n加热器电源，其配置为将功率施用到所述加热器；/n多条加热器电缆，其配置为将所述功率输送到所述加热器；以及/n配置为接地的可变电容器，所述配置为接地的可变电容器分别连接到所述多条加热器电缆。/n

【技术特征摘要】
20190703 KR 10-2019-00803321.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
腔室，在所述腔室中具有处理空间；
支承单元，其配置为在所述处理空间中支承所述基板；
气体供应单元，其配置为将用于处理所述基板的工艺气体供应到所述处理空间中；
等离子体源，其配置为通过激发供应到所述处理空间中的所述工艺气体来产生等离子体；
加热器，其配置为加热用于所述基板的不同区域的所述支承单元；
加热器电源，其配置为将功率施用到所述加热器；
多条加热器电缆，其配置为将所述功率输送到所述加热器；以及
配置为接地的可变电容器，所述配置为接地的可变电容器分别连接到所述多条加热器电缆。


2.根据权利要求1所述的装置，其还包括：
滤波器，其配置为使所述功率通过所述多条加热器电缆、并且中断将RF功率引入到所述加热器电源中，
其中，所述多条加热器电缆连接在所述滤波器和所述加热器之间。


3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述配置为接地的可变电容器连接到所述滤波器的输入端子。


4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述滤波器包括多个端子，并且
其中，所述配置为接地的可变电容器连接到所述多个端子中的接地端子。


5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述配置为接地的可变电容器在接地状态或浮置状态之一中操作。


6.根据权利要求5所述的装置，其中，在所述浮置状态中，通过调节各所述可变电容器的电极之间的距离，来控制施用到所述基板的各个所述不同区域的等离子体电压。


7.根据权利要求5所述的装置，其中，通过接通/断开与各所述可变电容器并联连接的接地开关，来调节所述接地状态。


8.根据权利要求1到7中任一项所述的装置，其中，所述装置通过调节所述配置为接地的可变电容器，来调节所述基板的各个所述不同区域的功率损耗的大小。


9.根据权利要求1到7中任一项所述的装置，其中，所述装置通过调节所述配置为接地的可变电容器，来调节施用到所述基板的各个所述不同区域的等离子体电压。


10.一种基板处理方法，其用于通过调节施用到基板的各个不同区域的功率来...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东夏，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR