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本申请涉及一种用于处理基板的装置和方法。所述装置包括：腔室，所述腔室中具有处理空间；支承单元，其在所述处理空间中支承所述基板；气体供应单元，其将用于处理所述基板的工艺气体供应到所述处理空间中；等离子体源，其通过激发供应到所述处理空间中的所述...
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