【技术实现步骤摘要】
光照射装置、光照射方法和存储介质
本专利技术涉及光照射装置、光照射方法和存储介质。
技术介绍
专利文献1记载了:在半导体器件的制造工艺中,依次进行在基片的表面形成抗蚀剂膜的步骤、进行曝光的步骤、将抗蚀剂图案化的步骤、对抗蚀剂的整个面照射波长200nm以下的光的步骤、进行抗蚀剂膜的下层膜的蚀刻的步骤。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2001-127037号公报。
技术实现思路
本专利技术提供一种能够有效提高光照射处理的稳定性的光照射装置。本专利技术的一个方面的光照射装置包括:收纳基片的处理室;收纳能量射线的射线源的线源室;将处理室与线源室分隔开的分隔壁;多个窗部,其设置在分隔壁,能够使从射线源向处理室内的基片出射的能量射线透射;和多个气体释放部,其分别设置在处理室内的多个窗部的周围,沿多个窗部的表面释放非活性气体。根据本专利技术,能够提供一种可有效提高光照射处理的稳定性的光照射装置。附图说明图1是例示光照射装置的概略构成的示意图。图2是 ...
【技术保护点】
1.一种光照射装置,其特征在于,包括:/n收纳基片的处理室;/n收纳能量射线的射线源的线源室;/n将所述处理室与所述线源室分隔开的分隔壁;/n多个窗部,其设置在所述分隔壁,能够使从所述射线源向所述处理室内的所述基片出射的能量射线透射;和/n多个气体释放部,其分别设置在所述处理室内的所述多个窗部的周围,沿所述多个窗部的表面释放非活性气体。/n
【技术特征摘要】
20190627 JP 2019-1203301.一种光照射装置,其特征在于,包括:
收纳基片的处理室;
收纳能量射线的射线源的线源室;
将所述处理室与所述线源室分隔开的分隔壁;
多个窗部,其设置在所述分隔壁,能够使从所述射线源向所述处理室内的所述基片出射的能量射线透射;和
多个气体释放部,其分别设置在所述处理室内的所述多个窗部的周围,沿所述多个窗部的表面释放非活性气体。
2.如权利要求1所述的光照射装置,其特征在于:
所述多个气体释放部分别以包围所述多个窗部的任一个窗部的方式设置,并将所述非活性气体以从所述窗部的外周向中心去的方式释放。
3.如权利要求2所述的光照射装置,其特征在于:
所述多个气体释放部分别具有:
以包围所述窗部的表面的方式设置在分隔壁的包围部;
以包围所述窗部的表面的方式设置在所述包围部内的缓冲空间;和
隙缝,其沿着所述窗部的表面的外周在所述包围部的内周面具有开口,以从所述缓冲空间内向所述窗部的中心导出所述非活性气体。
4.如权利要求3所述的光照射装置,其特征在于:
还包括向所述线源室供给所述非活性气体的气体供给部,
所述多个气体释放部分别还具有设置在所述分隔壁的通气孔,以从所述线源室向所述缓冲空间导入所述非活性气体。
5.如权利要求3...
【专利技术属性】
技术研发人员:鬼海贵也,古闲法久,友野胜,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。