基片处理方法和基片处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括提供基片的工序和第1工序。在提供基片的工序中提供具有第1膜和第2膜的基片，该第2膜形成在该第1膜上并且形成有图案。在第1工序中，一边将第1处理气体等离子体化以在进行第2膜的溅射的同时蚀刻第1膜，一边在第1膜的侧壁由通过上述溅射产生的生成物形成保护膜。本发明专利技术能够控制通过蚀刻在基片形成的图案形状。

【技术实现步骤摘要】
基片处理方法和基片处理装置
以下的专利技术涉及基片处理方法和基片处理装置。
技术介绍
一直以来，在半导体装置的制造工艺中，在形成圆柱孔(cylinderhole)或接触孔等时，利用了等离子体蚀刻。近年来，在高高宽比的接触孔(HARC(HighAspectRatioContact))等的形成中，要求抑制弓形(bowing)等的形状异常的状况。例如，提案有对于从下起依次层叠有有机膜、含硅膜、图案掩模的基片，在有机膜形成凹部之后，通过含硅膜的溅射在凹部内壁面形成保护膜的方法(专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-49141号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供一种能够控制通过蚀刻在基片形成的图案形状的技术。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的一个方式的基片处理装置和基片处理方法包括提供基片的工序和第1工序。在提供基片的工序中，提供具有第1膜和第2膜的基片，该第2膜形成在该第1膜上并且形成有开口。在第1工序中，一边将第1处理气体等离子体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：/n提供具有第1膜和第2膜的基片的工序，所述第2膜形成在该第1膜上且形成有开口；和/n第1工序，其一边将第1处理气体等离子体化以在进行所述第2膜的溅射的同时蚀刻所述第1膜，一边在所述第1膜的侧壁由通过所述溅射产生的生成物形成保护膜。/n

【技术特征摘要】
20190628 JP 2019-1220681.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
提供具有第1膜和第2膜的基片的工序，所述第2膜形成在该第1膜上且形成有开口；和
第1工序，其一边将第1处理气体等离子体化以在进行所述第2膜的溅射的同时蚀刻所述第1膜，一边在所述第1膜的侧壁由通过所述溅射产生的生成物形成保护膜。


2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
实施所述第1工序至形成在所述第1膜的图案的高宽比至少成为5为止。


3.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：
还包括第2工序，其将第2处理气体等离子体化以所述第2膜为掩模蚀刻所述第1膜。


4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
还包括第3工序，其将第3处理气体等离子体化以在所述第2膜的顶部形成含硅膜。


5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
还包括第4工序，其将第4处理气体等离子体化，以除去堵塞所述开口和/或形成于所述第1膜的图案上部的堵塞物。


6.如权利要求1或2所述的基片处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：饭岛祐树，久松亨，熊谷圭惠，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP