等离子体处理方法技术

本发明专利技术是鉴于这种课题而完成的，提供一种形成多晶硅膜的掩模层的等离子体处理方法，该方法能够抑制蚀刻形状异常。本发明专利技术的特征在于，在对多晶硅膜进行等离子体蚀刻的等离子体处理方法中，使用卤素气体、碳氟化合物气体、氧气以及羰基硫气体的混合气体对所述多晶硅膜进行等离子体蚀刻。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体处理方法
本专利技术涉及一种与半导体制造相关的使用等离子体的干式蚀刻方法。
技术介绍
DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)或者3D-NAND闪存随着高集成化，有时形成深孔形状或者深槽形状，使用等离子体的干式蚀刻被用于该形成。以往，为了形成孔或者槽形状，使用光致抗蚀剂膜作为掩模层，但随着孔或者槽形状变深，光致抗蚀剂膜在干式蚀刻中消失，无法获得所希望的形状。因此，将具有干式蚀刻耐性的多晶硅膜作为掩模层，通过干式蚀刻形成深孔形状或者深槽形状。此外，形成深孔形状或者深槽形状时的掩模层被厚膜化以使得不在干式蚀刻中消失，对该掩模层也通过干式蚀刻形成深孔形状或者深槽形状。作为在硅基板上形成深槽的等离子体蚀刻方法，在专利文献1中公开了一种等离子体蚀刻方法，其在硅基板上形成包含疏密图案的沟槽隔离构造，在该等离子体蚀刻方法中，使用以HBr气体为主体、添加了O2气体和CO2气体、SO2气体等与O2气体不同的含氧气体的混合气体。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理方法，对多晶硅膜进行等离子体蚀刻，其特征在于，/n使用卤素气体、碳氟化合物气体、氧气和羰基硫气体的混合气体对所述多晶硅膜进行等离子体蚀刻。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种等离子体处理方法，对多晶硅膜进行等离子体蚀刻，其特征在于，
使用卤素气体、碳氟化合物气体、氧气和羰基硫气体的混合气体对所述多晶硅膜进行等离子体蚀刻。


2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，
所述卤素气体是从Cl2气体、HBr气体、NF3气体和SF6气体中选择的至少一种气体，
所述碳氟化合物气体是从CHF3气体、CF4气体、C4F8气体、C5F8气体、C4F6气体、CH2F2气体和CH3F气体中选择的至少一种气体。


3.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，
所述羰基硫气体的流量相对于所述混合气体的流量的比率为15～35％的范围内的值。


4.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，
向对成膜有所述多晶硅膜的样品进行载置的样品台供给2000W以上的高频电力，或者向所述样品台施加1800V以上的峰值间高频电压，并且对所述多晶硅膜进行等离子体蚀刻。

【专利技术属性】
技术研发人员：高松知广，荒濑高男，梶房裕之，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：日本;JP