【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子处理装置、等离子处理装置的内部构件和该内部构件的制造方法
本专利技术涉及在配置于真空容器的内部的处理室内对处理对象的半导体晶片等基板状的样品使用形成于处理室内的等离子进行处理的等离子处理装置以及该处理室内构件或处理室内部构件的制造方法，特别涉及在面对等离子的表面具有针对等离子膜层而覆盖的覆膜的处理室内部构件以及具备内部构件的等离子处理装置或者内部构件的制造方法。
技术介绍
作为在配置于上述的处理室内部并暴露于等离子的处理室内部构件的表面具有覆膜的等离子处理装置的技术的示例，现有已知JP特开2007-321183号公报(专利文献1)公开的技术。在该现有技术中公开了如下那样的等离子处理装置：配置于形成等离子的处理室的内部的构件在暴露于等离子的部位的表面具有覆膜，该覆膜由包含Y2O3作为主要成分并包含0.2～5.0％的SiO2(氧化硅)作为成分的陶瓷等电介质的材料构成，厚度被设为10～500μm的范围内的值。另外，在本现有技术中记载了：将作为其原料而包含主成分的Y2O3以及0.2～5.0％的SiO2的电介质材...
【技术保护点】
1.一种等离子处理装置，使用从提供到处理室内的处理用气体形成的等离子来对配置于真空容器内部的该处理室内的处理对象的晶片进行处理，所述等离子处理装置的特征在于，/n配置于所述处理室内的构件的面对所述等离子的表面由电介质材料构成，该电介质的材料包含：与提供的所述处理用气体化合并挥发的第1材料；以及与所述处理用气体化合而产生的具有不挥发性的化合物的体积比该化合前增大的第2材料。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种等离子处理装置，使用从提供到处理室内的处理用气体形成的等离子来对配置于真空容器内部的该处理室内的处理对象的晶片进行处理，所述等离子处理装置的特征在于，
配置于所述处理室内的构件的面对所述等离子的表面由电介质材料构成，该电介质的材料包含：与提供的所述处理用气体化合并挥发的第1材料；以及与所述处理用气体化合而产生的具有不挥发性的化合物的体积比该化合前增大的第2材料。
2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，
在所述电介质的材料包含相当于所述第2材料的化合物从该化合前的体积增大的体积的量的所述第1材料。
3.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置，其特征在于，
所述第1材料包含Si，所述第2材料包含Y。
4.一种等离子处理装置的内部构件，是使用从提供到处理室内的处理用气体形成的等离子来对配置于真空容器内部的该处理室内的处理对象的晶片进行处理的等离子处理装置的处理室内部所配置的内部构件，
所述内部构件面对所述等离子的表面由电介质材料构成，该电介质的材料包含：与提供的所述处理用气体化合并挥发的第1材料；以及与所述处理用气体化合而产生的具有不挥发性的化合物的体积比该化合前增大的第2材料。
5.根据权利要求4所述的等离子处理装置的内部构件，其特征在于，
在所述电介质的材料中包含相当于所述第2材料的化合物从该化合前的体积增大的体积的量的所述第1材料。
6.根据权利要求4或5所述的等离子处...
【专利技术属性】
技术研发人员：田村智行，池永和幸，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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