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本发明是鉴于这种课题而完成的，提供一种形成多晶硅膜的掩模层的等离子体处理方法，该方法能够抑制蚀刻形状异常。本发明的特征在于，在对多晶硅膜进行等离子体蚀刻的等离子体处理方法中，使用卤素气体、碳氟化合物气体、氧气以及羰基硫气体的混合气体对所述多...
该专利属于株式会社日立高新技术所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立高新技术授权不得商用。

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