半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成多晶硅膜；采用刻蚀工艺去除部分厚度多晶硅膜，形成多晶硅层，刻蚀液为氢氟酸与臭氧溶液的混合液，氢氟酸与臭氧溶液的体积比例为1:4～4:1。本发明专利技术有助于提高刻蚀精度，并能够改善所述多晶硅层表面的平坦度。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，这些晶粒结合起来，即结晶成多晶硅。在半导体结构的制造工艺中，多晶硅材料可用于形成硬掩膜层或掩蔽层。为使得形成的多晶硅层厚度符合工艺要求，需要对多晶硅材料进行刻蚀。但是，现有刻蚀工艺仍有待改进。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法。为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成多晶硅膜；采用刻蚀工艺去除部分厚度多晶硅膜，形成多晶硅层，刻蚀液为氢氟酸与臭氧溶液的混合液，氢氟酸与臭氧溶液的体积比例为1:4～4:1。可选的，所述氢氟酸中的HF与H2O的体积比例为1:200。可选的，所述臭氧溶液的百分比浓度为30ppm。可选的，所述基底包括衬底及器件层，所述器件层覆盖所述衬底表面；形成所述多晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底；/n在所述基底上形成多晶硅膜；/n采用刻蚀工艺去除部分厚度多晶硅膜，形成多晶硅层，刻蚀液为氢氟酸与臭氧溶液的混合液，氢氟酸与臭氧溶液的体积比例为1:4～4:1。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成多晶硅膜；
采用刻蚀工艺去除部分厚度多晶硅膜，形成多晶硅层，刻蚀液为氢氟酸与臭氧溶液的混合液，氢氟酸与臭氧溶液的体积比例为1:4～4:1。


2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述氢氟酸中的HF与H2O的体积比例为1:200。


3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述臭氧溶液的百分比浓度为30ppm。


4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述基底包括衬底及器件层，所述器件层覆盖所述衬底表面；形成所述多晶硅膜的工艺中，在所述器件层表面形成多晶硅膜。


5.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘璋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31