【技术实现步骤摘要】
晶圆及其制作方法、半导体器件
本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种晶圆及其制作方法、半导体器件。
技术介绍
随着技术的发展和进步，集成电路芯片的集成度越来越高，单层芯片已无法满足使用需求，多层堆叠式芯片的应用越来越广泛，堆叠式芯片通过多层堆叠的晶圆切割得到。多层堆叠的晶圆包括芯片区和切割区，在切割切割区时，由于切割应力等的影响可能导致芯片区损坏，为了保证在切割时不损坏芯片区，通常会设置较大面积的切割区，切割区面积过大导致晶圆的有效利用率降低进而导致芯片成本升高。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种晶圆及其制作方法、半导体器件，进而至少在一定程度上克服由于相关技术中晶圆切割区面积较大，导致的晶圆有效利用率低的问题。根据本公开的第一方面，提供一种晶圆制作方法，所述晶圆制作方法包括：提供晶圆本体，所述晶圆本体上设置有用于切割的切割道；在...
【技术保护点】
1.一种晶圆制作方法，其特征在于，所述晶圆制作方法包括：/n提供晶圆本体，所述晶圆本体上设置有用于切割的切割道；/n在所述切割道形成切割硅通孔，所述切割硅通孔内填充有保护材料，以形成切割线。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶圆制作方法，其特征在于，所述晶圆制作方法包括：
提供晶圆本体，所述晶圆本体上设置有用于切割的切割道；
在所述切割道形成切割硅通孔，所述切割硅通孔内填充有保护材料，以形成切割线。
2.如权利要求1所述的晶圆制作方法，其特征在于，所述在所述切割道形成切割硅通孔，包括：
在所述晶圆本体的第一面所述切割道上形成盲孔；
在所述盲孔内填充保护材料；
对所述晶圆本体的第二面进行减薄，直至暴露所述盲孔，所述第二面和所述第一面相对。
3.如权利要求1所述的晶圆制作方法，其特征在于，所述在所述切割道形成切割硅通孔，包括：
在第一晶圆本体上切割道形成第一切割硅通孔；
在所述第一切割硅通孔内填充保护材料；
在第二晶圆本体上切割道和所述第一切割硅通孔对应的位置形成第二切割硅通孔，所述第一晶圆本体和所述第二晶圆本体堆叠设置；
在所述第二切割硅通孔填充所述保护材料。
4.如权利要求1所述的晶圆制作方法，其特征在于，所述切割硅通孔包括连续分布的硅通孔或者离散分布的硅通孔。
5.如权利要求1所述的晶圆制作方法，其特征在于，所述切割道形成有多行切割硅通孔。
6.如权利要求1所述的晶圆制作方法，其特征在于，所述切割硅通孔的宽度为2微米-50微米，所述切割硅通孔的深度为15微米-150微米。
7.如权利要求1所述的晶圆制作方法，其特征在于，所述保护材料包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴秉桓，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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