包含耐热性阻聚剂的含有聚硅氧烷的临时粘接剂制造技术

本发明专利技术的课题是提供在支持体与晶片之间不产生空隙的临时粘接剂。解决手段是用于在支持体与晶片的电路面之间可剥离地粘接而将晶片的背面进行加工的临时粘接剂，上述临时粘接剂包含能够通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)、Tg‑DTA中的5％质量减少温度为80℃以上的阻聚剂(B)和溶剂(C)。成分(A)包含聚硅氧烷(A1)和铂族金属系催化剂(A2)，聚硅氧烷(A1)包含聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)，聚有机硅氧烷(a1)包含碳原子数1～10的烷基和碳原子数2～10的烯基，聚有机硅氧烷(a2)包含碳原子数1～10的烷基和氢原子。阻聚剂(B)为式(1)所示的化合物。在式(1)中，R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含耐热性阻聚剂的含有聚硅氧烷的临时粘接剂
本专利技术涉及用于在晶片背面的研磨时将晶片固定于支持体的临时粘接剂以及使用了该临时粘接剂的叠层体。
技术介绍
以往沿2维平面方向集成的半导体晶片以更加集成化作为目的而要求将平面进一步也沿3维方向集成(叠层)的半导体集成技术。该3维叠层为一边通过硅贯通电极(TSV：throughsiliconvia)接线一边多层集成的技术。在多层集成时，待集成的各个晶片通过研磨已形成的电路面的相反侧(即，背面)而薄化，将被薄化了的半导体晶片叠层。为了将薄化前的半导体晶片(这里也简称为晶片)用研磨装置进行研磨而将其粘接于支持体。由于在研磨后必须容易剥离，因此此时的粘接称为临时粘接。该临时粘接必须从支持体容易取下，如果在取下时施加大的力则有时被薄化了的半导体晶片会断裂、或变形，为了不发生那样的情况需容易被取下。然而，在半导体晶片的背面研磨时因为研磨应力而脱离或偏移是不优选的。因此，临时粘接所要求的性能是耐受研磨时的应力，且在研磨后容易被取下。例如要求相对于研磨时的平面方向具有高应力(强粘接力)，相对于取下时的纵向具有低应力(弱粘接力)的性能。作为这样的粘接工艺，公开了：具有粘接层和分离层，分离层通过二甲基硅氧烷的等离子体聚合而形成，在研磨后机械分离的方法(参照专利文献1、专利文献2)；将支持基板与半导体晶片用粘接性组合物粘接，将半导体晶片的背面进行了研磨后将粘接剂用蚀刻液除去的方法(参照专利文献3)；以及作为将支持体与半导体晶片粘接的粘接层，包含将含有烯基的有机聚硅氧烷与含有氢硅烷基的有机聚硅氧烷通过铂催化剂进行了聚合的聚合层、与由热固性聚硅氧烷形成的聚合层的组合的晶片加工体(参照专利文献3、专利文献4、参照专利文献5、参照专利文献6)。作为氢化硅烷化反应的抑制剂，公开了长链α-炔属醇和固化性硅组合物(参照专利文献7)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特表2012-510715专利文献2：日本特表2012-513684专利文献3：日本特开2013-179135专利文献4：日本特开2013-232459专利文献5：日本特开2006-508540专利文献6：日本特开2009-528688专利文献7：日本特开平6-329917号
技术实现思路
专利技术所要解决的课题提供抑制粘接前的固化的进行，对晶片的电路面、支持体的旋转涂布性优异，与粘接层的接合时、晶片背面的加工时的耐热性优异，在晶片背面的研磨后可以容易地剥离，剥离后附着于晶片、支持体的粘接剂可以简单地除去的临时粘接剂及其叠层体、使用了其的加工方法。特别是提供在支持体与晶片之间不产生空隙而能够临时粘接的临时粘接剂。用于解决课题的手段本专利技术中作为第1观点，是一种临时粘接剂，是用于在支持体与晶片的电路面之间可剥离地粘接而将晶片的背面进行加工的临时粘接剂，其包含能够通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)、Tg-DTA中的5％质量减少温度为80℃以上的阻聚剂(B)、和溶剂(C)。作为第2观点，是第1观点所述的临时粘接剂，成分(A)包含聚硅氧烷(A1)和铂族金属系催化剂(A2)，聚硅氧烷(A1)包含聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)，聚有机硅氧烷(a1)包含具有选自SiO2所示的硅氧烷单元(Q单元)、R1R2R3SiO1/2所示的硅氧烷单元(M单元)、R4R5SiO2/2所示的硅氧烷单元(D单元)、和R6SiO3/2所示的硅氧烷单元(T单元)中的硅氧烷单元的聚硅氧烷(其中R1～R6分别以Si-C键或Si-H键与硅原子结合)，且R1～R6所示的1价化学基分别包含碳原子数1～10的烷基和碳原子数2～10的烯基，聚有机硅氧烷(a2)包含具有选自上述Q单元、M单元、D单元和T单元中的硅氧烷单元的聚硅氧烷，且R1～R6所示的1价化学基分别包含碳原子数1～10的烷基和氢原子。作为第3观点，是第1观点或第2观点所述的临时粘接剂，阻聚剂(B)为式(1)所示的化合物。(其中，在式(1)中，R7和R8二者都为碳原子数6～40的芳基，或者二者为碳原子数1～10的烷基与碳原子数6～40的芳基的组合，R7与R8可以彼此形成环)作为第4观点，是第1观点或第2观点所述的临时粘接剂，阻聚剂(B)为1-苯基-2-丙炔-1-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇、1,1-二苯基-2-丙炔-1-醇、或9-乙炔基-9-芴醇。作为第5观点，是第1观点～第4观点中任一项所述的临时粘接剂，包含作为剥离成分(D)的聚二甲基硅氧烷、含有环氧基的聚二甲基硅氧烷、含有苯基的聚二甲基硅氧烷或它们的混合物。作为第6观点，是一种用于将晶片的背面进行加工的叠层体，其包含：使用第1观点～第5观点中任一项所述的临时粘接剂而在支持体与晶片的电路面之间可剥离地粘接了的临时粘接剂层。作为第7观点，是一种用于将晶片的背面进行加工的叠层体，其包含在支持体与晶片的电路面之间可剥离地粘接了的临时粘接剂层和剥离剂层，上述叠层体包含：由第1观点～第5观点中任一项所述的上述临时粘接剂形成的临时粘接剂层；以及由聚二甲基硅氧烷、含有环氧基的聚二甲基硅氧烷、含有苯基的聚二甲基硅氧烷、或它们的混合物形成的剥离剂层。作为第8观点，是一种叠层体的接合方法，其中，在第一基体上涂布第1观点～第5观点中任一项所述的临时粘接剂，通过加热将溶剂除去而形成临时粘接剂层，然后，将第二基体与该临时粘接剂层接合，并从上述第一基体侧进行加热。作为第9观点，是一种叠层体的接合方法，其中，在第一基体上涂布第1观点～第5观点中任一项所述的临时粘接剂，通过加热将溶剂除去而形成临时粘接剂层，另一方面，在第二基体上涂布包含聚二甲基硅氧烷、含有环氧基的聚二甲基硅氧烷、含有苯基的聚二甲基硅氧烷、或它们的混合物的剥离剂并通过加热而形成剥离剂层，接着，将上述第一基体与上述第二基体以该临时粘接剂层与该剥离剂层对置的方式接合，并从上述第一基体侧进行加热。作为第10观点，是第8观点或第9观点所述的接合方法，其中，上述第一基体为支持体，上述第二基体为晶片，晶片的电路面与上述第一基体的表面对置。作为第11观点，是第8观点或第9观点所述的接合方法，其中，上述第一基体为晶片，上述第二基体为支持体，晶片的电路面与上述第二基体的表面对置。作为第12观点，是一种剥离方法，其中，在第一基体上涂布第1观点～第5观点中任一项所述的临时粘接剂而形成临时粘接剂层，接着将第二基体与临时粘接剂层接合，接着从上述第一基体侧进行加热而使该临时粘接剂层固化，制成叠层体，然后将该叠层体进行加工，进而将第一基体与第二基体在临时粘接剂层区间剥离。作为第13观点，是一种剥离方法，其中，在第一基体上涂布第1观点～第5观点中任一项所述的临时粘接剂而形成临时粘接剂层，另一方面，在第二基体上涂布包含聚二甲基硅氧烷、含有环氧基的聚二甲基硅氧烷、含有苯基的聚二甲基硅氧烷、或它们的混合物的剥离剂并通过加热而形成剥离剂层，接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种临时粘接剂，是用于在支持体与晶片的电路面之间可剥离地粘接而将晶片的背面进行加工的临时粘接剂，其包含能够通过氢化硅烷化反应而固化的成分A、Tg-DTA中的5％质量减少温度为80℃以上的阻聚剂B、和溶剂C。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180501 JP 2018-0883931.一种临时粘接剂，是用于在支持体与晶片的电路面之间可剥离地粘接而将晶片的背面进行加工的临时粘接剂，其包含能够通过氢化硅烷化反应而固化的成分A、Tg-DTA中的5％质量减少温度为80℃以上的阻聚剂B、和溶剂C。


2.根据权利要求1所述的临时粘接剂，成分A包含聚硅氧烷A1、和铂族金属系催化剂A2，聚硅氧烷A1包含聚有机硅氧烷a1和聚有机硅氧烷a2，聚有机硅氧烷a1包含具有选自SiO2所示的硅氧烷单元即Q单元、R1R2R3SiO1/2所示的硅氧烷单元即M单元、R4R5SiO2/2所示的硅氧烷单元即D单元、和R6SiO3/2所示的硅氧烷单元即T单元中的硅氧烷单元的聚硅氧烷，且R1～R6所示的1价化学基分别包含碳原子数1～10的烷基和碳原子数2～10的烯基；聚有机硅氧烷a2包含具有选自上述Q单元、M单元、D单元和T单元中的硅氧烷单元的聚硅氧烷，且R1～R6所示的1价化学基分别包含碳原子数1～10的烷基和氢原子；其中R1～R6分别以Si-C键或Si-H键与硅原子结合。


3.根据权利要求1或2所述的临时粘接剂，阻聚剂B为式(1)所示的化合物，



其中，在式(1)中，R7和R8二者都为碳原子数6～40的芳基，或者二者为碳原子数1～10的烷基与碳原子数6～40的芳基的组合，R7与R8可以彼此形成环。


4.根据权利要求1或2所述的临时粘接剂，阻聚剂B为1-苯基-2-丙炔-1-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇、1,1-二苯基-2-丙炔-1-醇、或9-乙炔基-9-芴醇。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的临时粘接剂，包含作为剥离成分D的聚二甲基硅氧烷、含有环氧基的聚二甲基硅氧烷、含有苯基的聚二甲基硅氧烷或它们的混合物。


6.一种用于将晶片的背面进行加工的叠层体，其包含：使用权利要求1～5中任一项所述的临时粘接剂而在支持体与晶片的电路面之间可剥离地粘接了的临时粘接剂层。


7.一种用于将晶片的背面进行加工的叠层体，其包含在支持体与晶片的电路面之间可剥离地粘接了的临时粘接剂层和剥离剂层，所述叠层体包含：由权利要求1～5中任一项所述的所述临时粘接剂形成的临时粘接剂层；以及由聚二甲基硅氧烷、含有环氧基的聚二甲基硅氧烷、含有苯基的聚二甲基硅氧烷、或它们的混合物形成的剥离剂层。

【专利技术属性】
技术研发人员：泽田和宏，森谷俊介，新城彻也，荻野浩司，奥野贵久，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP