抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

本发明专利技术的课题是，本发明专利技术提供通过提高聚合物的热回流性从而改善烧成时对图案的填充性的抗蚀剂下层膜组合物、作为由该抗蚀剂下层膜组合物制成的涂布膜的烧成物的抗蚀剂下层膜、和包含形成该抗蚀剂下层膜的工序的半导体装置的制造方法。解决手段是本发明专利技术的抗蚀剂下层膜形成用组合物包含下述式(A)或式(B)所示的化合物、和溶剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及用于在具有高低差的基板上形成平坦化膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用了该抗蚀剂下层膜的被平坦化了的叠层基板的制造方法。

技术介绍

1、一直以来在半导体器件的制造中，通过使用了光致抗蚀剂组合物的光刻进行微细加工。上述微细加工为下述加工法：在硅晶片等被加工基板上形成光致抗蚀剂组合物的薄膜，在其上经由描绘了半导体器件的图案的掩模图案而照射紫外线等活性光线，进行显影，以所得的光致抗蚀剂图案作为保护膜而对硅晶片等被加工基板进行蚀刻处理的加工法。然而，近年来，半导体器件的高集成度化发展，所使用的活性光线也从krf准分子激光(248nm)向arf准分子激光(193nm)短波长化。与此相伴，活性光线从基板的漫反射、驻波的影响成为大问题，广泛应用了在光致抗蚀剂与被加工基板之间设置防反射膜的方法。此外，以进一步的微细加工作为目的，也进行了活性光线使用超紫外线(euv，13.5nm)、电子射线(eb)的光刻技术的开发。对于euv光刻、eb光刻，一般而言，由于不产生从基板的漫反射、驻波，因此不需要特定的防反射膜，但作为以抗蚀剂图案的分辨率、密合性的改善作为目的的辅助本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式(A)和/或式(B)所示的化合物、和溶剂，

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，在所述式(A)或式(B)中，Ar1～Ar6各自独立地为由包含苯环的1个以上芳香族环构成的基团。

3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(A)中的R1表示氢原子或碳原子数2～10的炔基。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(B)中的Ar3～Ar6为相同的基团。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(B)中的2价基为选自...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式(a)和/或式(b)所示的化合物、和溶剂，

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，在所述式(a)或式(b)中，ar1～ar6各自独立地为由包含苯环的1个以上芳香族环构成的基团。

3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(a)中的r1表示氢原子或碳原子数2～10的炔基。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(b)中的ar3～ar6为相同的基团。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(b)中的2价基为选自碳原子数1～15的支链或直链的亚烷基、亚苯基、萘基、蒽基、磺酰基、羰基、醚基、和硫醚基中的基团或由它们的组合构成的基团。

6.根据权利要求5所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述式(b)中的2价基为下述所示的基团中的任一者，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的抗蚀剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村哲也，西卷裕和，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：