加热臭氧水的制造方法、加热臭氧水及半导体晶片洗涤液技术

本发明专利技术提供能够抑制高浓度的加热臭氧水中的臭氧浓度的衰减而制造臭氧浓度极高的加热臭氧水的加热臭氧水的制造方法、加热臭氧水及使用了加热臭氧水的半导体晶片洗涤液。一种加热臭氧水的制造方法，其特征在于，其是在纯水中溶解臭氧而成的加热臭氧水的制造方法，其包括以下工序：pH调整工序，该pH调整工序向上述纯水中添加酸而将pH调整为3以下；溶解工序，该溶解工序在上述pH调整工序后的pH经调整的纯水中溶解臭氧气体；及加热工序，该加热工序将上述纯水、上述pH经调整的纯水或上述溶解工序后的臭氧水加热至60℃以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】加热臭氧水的制造方法、加热臭氧水及半导体晶片洗涤液
本专利技术涉及加热臭氧水的制造方法、加热臭氧水及半导体晶片洗涤液。
技术介绍
以往，半导体基板、液晶显示器、有机EL显示器及其光掩模等的制造领域中的电子材料上的抗蚀剂的剥离洗涤通常按照“SPM洗涤”、“冲洗洗涤”、“APM洗涤”、“冲洗洗涤”、“HPM洗涤”、“冲洗洗涤”、“DHF洗涤”、“冲洗洗涤”、“干燥”的步骤来进行。在上述的抗蚀剂的剥离洗涤工序中，对于带抗蚀剂的电子材料，首先，通过使用将硫酸与双氧水混合而成的硫酸-双氧水溶液(SPM)的SPM洗涤来进行抗蚀剂的剥离，之后，进行利用氨-双氧水溶液(APM)的APM洗涤、利用盐酸-双氧水溶液(HPM)的HPM洗涤、利用稀氢氟酸(DHF)的DHF洗涤等湿式洗涤。进而，之后，进行干燥而结束一连串的洗涤处理。需要说明的是，在使用不同药液的各洗涤工序之间，利用纯水进行冲洗洗涤。另外，HPM洗涤、DHF洗涤有时也被省略。近年来，随着电子材料的微细化、高功能化、高性能化进展，电子材料的制造工序变得复杂，同时电子材料的抗蚀剂剥离处理变得困本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种加热臭氧水的制造方法，其特征在于，其是在纯水中溶解臭氧而成的加热臭氧水的制造方法，其包括以下工序：/npH调整工序，该pH调整工序向所述纯水中添加酸而将pH调整为3以下；/n溶解工序，该溶解工序在所述pH调整工序后的pH经调整的纯水中溶解臭氧气体；及/n加热工序，该加热工序将所述纯水、所述pH经调整的纯水或所述溶解工序后的臭氧水加热至60℃以上。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180502 JP 2018-0887151.一种加热臭氧水的制造方法，其特征在于，其是在纯水中溶解臭氧而成的加热臭氧水的制造方法，其包括以下工序：
pH调整工序，该pH调整工序向所述纯水中添加酸而将pH调整为3以下；
溶解工序，该溶解工序在所述pH调整工序后的pH经调整的纯水中溶解臭氧气体；及
加热工序，该加热工序将所述纯水、所述pH经调整的纯水或所述溶解工序后的臭氧水加热至60℃以上。


2.根据权利要求1所述的加热臭氧水的制造方法，其中，所述酸为盐酸、醋酸或柠檬酸。


3.根据权利要求1或2所述的加热臭氧水的制造方法，其中，通过选自使用了气体透过膜的膜溶解、利用加压罐的加压溶解、鼓泡及填充塔接触溶解中的至少一种方法来进行所述溶解工序。


4.根据权利要求3所述的加热臭氧水的制造方法，其中，所述气体透过膜为由氟系材料形成的膜。


5.根据权利要求3或4所述的加热臭氧水的制造方法，其中，在通过所述膜溶解来进行所述溶解工序的情况下，在所述溶解工序之前进行所述加热工序。


6.根据权利要求3所述的加热臭氧水的制造方法，其中，在通过所述加压溶解来进行所述溶解工序的情况下，在所述溶解工序之后进行所述加热工序。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的加热臭...

【专利技术属性】
技术研发人员：白井泰雪，酒井健，自在丸隆行，
申请(专利权)人：国立大学法人东北大学，野村微科学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP