晶圆切割方法技术

一种晶圆切割方法，包括：获得待切割晶圆，待切割晶圆包括隔离层及位于隔离层上的半导体器件层，待切割晶圆包括切割道区域；从隔离层背向半导体器件层的一侧对切割道区域的隔离层进行第一切割，形成贯穿隔离层的第一切割槽；从半导体器件层背向隔离层的一侧，对第一切割槽位置处的半导体器件层进行第二切割，形成贯穿待切割晶圆的切割道，并获得多个分立的芯片。本发明专利技术在进行第一切割时，半导体器件层能够对隔离层提供支撑力，从而减小第一切割槽位置处的崩边开口的横向尺寸，相应的，在完成第二切割后，切割道位置处的崩边开口的横向尺寸也较小，从而提高切割后所获得的芯片的良率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆切割方法
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆切割方法。
技术介绍
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路(integratedcircuit，IC)器件。在完成半导体晶圆的制备后，需要对芯片进行切割处理，将半导体晶圆分为多个芯片，其中，切割处理在切割道区域中进行。目前的晶圆切割方法主要包括：首先对晶圆背面进行背面减薄(backsidegrinding)处理，接着利用切割刀片，沿着切割道区域，自晶圆正面向晶圆背面进行切割，以获得多个独立的芯片。其中，晶圆正面是指在半导体衬底上形成元件、叠层、互连线以及焊垫等的表面，而另一面则成为晶圆背面。随着芯片尺寸的变小，切割道区域的宽度也逐步缩小，而切割道区域的宽度的缩小，给切割(diesaw)工艺也带来了严峻的挑战。
技术实现思路
本专利技术实施例解决的问题是提供一种晶圆切割方法，提高切割后所获得的芯片的良率。为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种晶圆切割方法，包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆切割方法，其特征在于，包括：/n获得待切割晶圆，所述待切割晶圆包括隔离层以及位于所述隔离层上的半导体器件层，所述待切割晶圆包括切割道区域；/n从所述隔离层背向所述半导体器件层的一侧，对所述切割道区域的所述隔离层进行第一切割，形成贯穿所述隔离层的第一切割槽；/n在所述第一切割后，从所述半导体器件层背向所述隔离层的一侧，对所述第一切割槽位置处的所述半导体器件层进行第二切割，形成贯穿所述待切割晶圆的切割道，并获得多个分立的芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆切割方法，其特征在于，包括：
获得待切割晶圆，所述待切割晶圆包括隔离层以及位于所述隔离层上的半导体器件层，所述待切割晶圆包括切割道区域；
从所述隔离层背向所述半导体器件层的一侧，对所述切割道区域的所述隔离层进行第一切割，形成贯穿所述隔离层的第一切割槽；
在所述第一切割后，从所述半导体器件层背向所述隔离层的一侧，对所述第一切割槽位置处的所述半导体器件层进行第二切割，形成贯穿所述待切割晶圆的切割道，并获得多个分立的芯片。


2.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，进行所述第二切割之前，还包括：将所述隔离层的表面贴附于第一胶膜层上。


3.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述待切割晶圆包括位于所述半导体器件层一侧的晶圆正面；
进行所述第一切割之前，还包括：将所述晶圆正面贴附于第二胶膜层上。


4.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，获得所述待切割晶圆之前，还包括：提供基于SOI衬底制造的半导体晶圆，所述半导体晶圆包括底部半导体层、位于所述底部半导体层上的隔离层、以及位于所述隔离层上的半导体器件层；
获得所述待切割晶圆的步骤包括：以所述隔离层作为停止层，通过减薄处理的方式去除所述底部半导体层。


5.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，从所述半导体器件层背向所述隔离层的一侧，对所述第一切割槽位置处的所述半导体器件层进行第二切割之前，还包括：采用红外对准的方式，确定所述半导体器件层中与所述第一切割槽相对应的位置。


6.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，利用机械切割或激光切割，进行所述第一切割；
利用机械切割或激光切割，进行所述第二切割。


7.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，利用机械切割进行所述第一切割和第二切割，所述第一切割所采用的切割刀具设有第一切割刀片，所述第二切割所采用的切割刀具设有第二切割刀片；
所述第一切割刀片和第二切割刀片的材料均包括金刚石。
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【专利技术属性】
技术研发人员：宋月平，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33