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一种晶圆切割方法,包括:获得待切割晶圆,待切割晶圆包括隔离层及位于隔离层上的半导体器件层,待切割晶圆包括切割道区域;从隔离层背向半导体器件层的一侧对切割道区域的隔离层进行第一切割,形成贯穿隔离层的第一切割槽;从半导体器件层背向隔离层的一侧,...该专利属于中芯集成电路(宁波)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯集成电路(宁波)有限公司授权不得商用。
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一种晶圆切割方法,包括:获得待切割晶圆,待切割晶圆包括隔离层及位于隔离层上的半导体器件层,待切割晶圆包括切割道区域;从隔离层背向半导体器件层的一侧对切割道区域的隔离层进行第一切割,形成贯穿隔离层的第一切割槽;从半导体器件层背向隔离层的一侧,...