本发明公开一种体声波滤波器形成方法，包括：在临时衬底晶圆表面形成压电叠层，压电叠层包括上电极调频层、压电层和下电极层，所述上电极调频层和下电极层分别位于压电层相对的表面；将器件晶圆的正面与下电极层键合，并封闭第一空腔；去除临时衬底晶圆，...

本申请公开一种体声波滤波器及其制造方法，有助于减小体声波滤波器的带宽波动，提升器件性能。制造方法包括以下步骤：提供第一衬底晶圆，表面形成有压电层；在压电层表面形成初始电极层，具有第一偏差值；对初始电极层进行第一表面处理，获取中间电极层；...

本申请公开一种

本申请公开一种移动机构及其形成方法、电子设备，其中移动机构包括固定平台；移动载板，悬空设置在所述固定平台上方；位移模块，设置所述固定平台上并位于所述移动载板下方；被配置为吸合所述移动载板，并带动所吸合的移动载板移动；限位结构，设置在所述...

本发明提出一种横向耦合的薄膜体声波滤波器及其制造方法，该方法包括：提供临时衬底，所述临时衬底具有相对的正面和背面；在临时衬底的正面上形成压电层；在所述压电层上形成底电极；在所述底电极上形成支撑层，所述支撑层覆盖所述底电极；在所述支撑层中...

本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：提供晶圆；在所述晶圆上形成质量负载层；在所述质量负载层上形成图案化的光刻胶层；执行干燥处理以去除所述光刻胶层的水汽；以所述图案化的光刻胶层为掩膜对所述质量负载层执行离子束轰击，以形成具有高度差...

本发明公开了一种中高频SAW滤波器的IDT的制备方法及SAW滤波器，其中制备方法包括：提供基板；在基板上通过黄光工艺形成IDT光阻结构，IDT光阻结构包括多个间隔设置的光阻单元；将基板置入烤箱中，对IDT光阻结构进行固化；固化完成后，对...

本发明提供了一种薄膜体声波谐振器及其制造方法，其中，薄膜体声波谐振器包括：承载衬底；支撑层，键合于所述承载衬底上，所述支撑层围成第一空腔，所述第一空腔暴露出所述承载衬底；压电叠层结构，覆盖所述第一空腔，所述压电叠层结构从下至上包括依次层...

一种滤波器结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，衬底包括工作区和环绕工作区的互连区，以及环绕互连区的密封区，工作区的衬底上形成有器件结构；在互连区和密封区的衬底顶部形成缓冲层；在互连区的缓冲层的顶部、靠近工作区一侧的侧壁、以及密封区的缓...

本发明提供了一种谐振器封装结构及其制造方法，其中，谐振器封装结构包括：基板，所述基板的上表面形成有多个声波谐振器单元，所述声波谐振器单元包括压电感应片体、用于对所述压电感应片体施加电压且彼此相对的第一电极和第二电极；第一电极引出部，电连...

一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括待刻蚀层；在待刻蚀层上形成水溶性材料层；在水溶性材料层上形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光和显影，以在光刻胶层中形成暴露待刻蚀区域的窗口，在显影的过程，显影液通过...

一种滤波器及其形成方法、电子设备，谐振器中的封装层，位于所述第一连接层上，所述封装层、密封层以及衬底形成第一空腔，保护层覆盖所述密封层和封装层交界面，以及密封层和衬底交界面，保护层能够加强密封层和封装层之间，以及密封层和衬底之间的结合力...

本发明提供了一种滤波器封装结构及其制造方法，其中，滤波器封装结构包括：基板，基板的上表面形成有多个声波谐振器单元，声波谐振器单元包括压电感应片体、用于对压电感应片体施加电压且彼此相对的第一电极和第二电极；第一电极引出部，电连接第一电极；...

一种谐振器及其形成方法、滤波器、电子设备，谐振器中的第二衬底、支撑层、第一电极、第一金属键合层以及第二金属键合层围成第二空腔，第一金属键合层和第二金属键合层之间为金属键合，因此第一金属键合层和第二金属键合层之间结合紧密，与干膜相比，第一...

一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括工作区和互连区，所述工作区的所述衬底上形成有器件结构；在所述器件结构的顶部、以及所述互连区的所述衬底的顶部形成互连层，所述互连区的互连层与所述器件结构电连接；在所述互连区的所...

一种谐振器及其形成方法、滤波器、电子设备，谐振器包括：压电叠层结构，包括工作区和位于工作区外围的外围区，压电叠层结构包括压电层、位于压电层第一面的第一电极以及位于压电层第二面的第二电极，第一面和第二面为压电层相背的两面；其中第一支撑层，...

一种MEMS器件及其制造方法，所述方法包括：提供顶盖层，所述顶盖层包括第一MEMS器件的区域和第二MEMS器件的区域，分别形成有第一凹槽和第二凹槽；在第一凹槽中形成气体释放层；将顶盖层与第一基底的第一表面进行第一键合；对第一基底执行第一...

一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供基底，所述基底上形成有介质层，所述介质层中形成有金属焊垫，所述金属焊垫上形成有金属凸块，所述金属焊垫的边缘部分暴露在所述介质层和所述金属凸块外部；形成抗反射层，所述抗反射层至少覆盖所述金...

本申请公开一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，所述衬底表面包括凸起；形成覆盖所述衬底表面和所述凸起的牺牲层，所述牺牲层表面平整；在形成所述牺牲层之后翻转所述衬底，加工所述衬底背面。本申请可以对衬底背面稳定地执行各项工...

本申请公开一种MEMS传感器结构，能够减小第一晶圆的边缘区域碎裂的几率，减小器件失效的几率，包括：第一晶圆，表面和/或内部形成有功能器件，第一晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面，且第一表面形成有焊盘，焊盘位于功能器件所在区域的外侧，电...