【技术实现步骤摘要】
中高频SAW滤波器的IDT的制备方法及SAW滤波器
[0001]本专利技术涉及半导体制造领域,尤其涉及中高频SAW滤波器的IDT的制备方法及SAW滤波器。
技术介绍
[0002]表面声波是在压电片表面产生并传播且振幅随着深入压电片的深度增加而迅速减少的一种弹性波。表面声波(SAW)滤波器的基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制作两个声电换能器-叉指换能器(Interdigital Transducer,IDT),分别用作发射换能器和接收换能器。发射换能器将RF信号转换为声表面波,在基片表面上传播,经过一定的延迟后,接收换能器将声信号转换为电信号输出,滤波过程是在电到声和声到电的压电转换中实现。
[0003]表面声波(SAW)滤波器具有体积小,适合于微型封装,一致性好无需调整,低成本低,低插损优点,在移动通讯领域具有广泛的应用。同时随着5G时代的来临,对于2GHZ附近或者更高频段的SAW滤波器的需求逐渐增加。
[0004]叉指的宽度以及叉指间距随着响应频率的增加而尺寸逐渐减小。传统工艺多采用负胶与金属剥离 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种中高频SAW滤波器的IDT的制备方法,其特征在于,包括:提供基板;在所述基板上通过黄光工艺形成IDT光阻结构,所述IDT光阻结构包括多个间隔设置的光阻单元;将所述基板置入烤箱中,对所述IDT光阻结构进行固化;固化完成后,对所述光阻单元的尺寸进行微调,以缩小所述光阻单元的宽度;沉积IDT金属,并通过金属剥离工艺,剥离所述IDT光阻结构以及去除多余的金属,得到所需的IDT结构。2.根据权利要求1所述的中高频SAW滤波器的IDT的制备方法,其特征在于,通过descum工艺对所述光阻单元的尺寸进行微调。3.根据权利要求2所述的中高频SAW滤波器的IDT的制备方法,其特征在于,所述descum工艺包括:将所述基板置入反应腔室中,向所述反应腔室中通入氧气,在设定工艺条件下,使部分所述光阻单元形成可挥发性气体。4.根据权利要求2所述的中高频SAW滤波器的IDT的制备方法,其特征在于,预先设计所述光阻单元的宽度以及相邻所述光阻单元之间的间隔以及descum工艺条件,使微调之后的相邻所述光阻单元之间的间隔满足设定尺寸。5.根据权利要求4所述的中高频SAW滤波器的IDT的制备方法,其特征在于,预先设计的相邻所述光阻单元之间的间隔小于所述I...
【专利技术属性】
技术研发人员:张新,
申请(专利权)人:中芯集成电路宁波有限公司,
类型:发明
国别省市:
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