中高频SAW滤波器的IDT的制备方法及SAW滤波器技术

本发明专利技术公开了一种中高频SAW滤波器的IDT的制备方法及SAW滤波器，其中制备方法包括：提供基板；在基板上通过黄光工艺形成IDT光阻结构，IDT光阻结构包括多个间隔设置的光阻单元；将基板置入烤箱中，对IDT光阻结构进行固化；固化完成后，对光阻单元的尺寸进行微调，以缩小光阻单元的宽度；沉积IDT金属，并通过金属剥离工艺，剥离IDT光阻结构以及去除多余的金属，得到所需的IDT结构。本发明专利技术在常规制备方法的基础上，通过引入烤箱固化+光阻单元尺寸微调，可以根据不同的尺寸设计，调整IDT层曝光后的光刻胶CD，实现250～500nm不同尺寸的中高频SAW滤波器的IDT的制备。滤波器的IDT的制备。滤波器的IDT的制备。

【技术实现步骤摘要】
中高频SAW滤波器的IDT的制备方法及SAW滤波器


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及中高频SAW滤波器的IDT的制备方法及SAW滤波器。

技术介绍

[0002]表面声波是在压电片表面产生并传播且振幅随着深入压电片的深度增加而迅速减少的一种弹性波。表面声波(SAW)滤波器的基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制作两个声电换能器－叉指换能器(Interdigital Transducer,IDT)，分别用作发射换能器和接收换能器。发射换能器将RF信号转换为声表面波，在基片表面上传播，经过一定的延迟后，接收换能器将声信号转换为电信号输出，滤波过程是在电到声和声到电的压电转换中实现。
[0003]表面声波(SAW)滤波器具有体积小，适合于微型封装，一致性好无需调整，低成本低，低插损优点，在移动通讯领域具有广泛的应用。同时随着5G时代的来临，对于2GHZ附近或者更高频段的SAW滤波器的需求逐渐增加。
[0004]叉指的宽度以及叉指间距随着响应频率的增加而尺寸逐渐减小。传统工艺多采用负胶与金属剥离工艺的结合，但出于该工艺的局限性，对于尺寸低于500nm的IDT金属电极的制备，目前多采用黄光与干刻结合或者电子束光刻的方式。
[0005]常规的SAW滤波器或者谐振器的IDT制备，通常是采用负胶形成空隙，后续再经过IDT金属蒸镀形成金属层，之后通过金属剥离(metal lift
‑
off)工艺将光刻胶以及多余的金属层剥离，从而形成IDT金属结构。
[0006]但对于中高频的SAW滤波器，IDT金属叉指单线条的尺寸减少到250～500nm左右，通过常规的直接IDT光刻+IDT蒸镀+金属剥离工艺，容易出现光刻胶的倒胶，变形等异常，从而严重影响IDT金属的制备。如果采用IDT金属沉积+IDT光刻+干刻工艺，容易对压电材料衬底产生损伤，从而影响产品性能。
[0007]因此，制备中高频的SAW滤波器时，如何得到与设计结构一致的IDT结构，是目前研究的课题。

技术实现思路

[0008]本专利技术的目的在于提供一种中高频SAW滤波器的IDT的制备方法及SAW滤波器，实现250～500nm不同尺寸的中高频SAW滤波器的IDT的制备。
[0009]为实现上述目的，本专利技术提供了一种中高频SAW滤波器的IDT的制备方法，包括：
[0010]提供基板；
[0011]在所述基板上通过黄光工艺形成IDT光阻结构，所述IDT光阻结构包括多个间隔设置的光阻单元；
[0012]将所述基板置入烤箱中，对所述IDT光阻结构进行固化；
[0013]固化完成后，对所述光阻单元的尺寸进行微调，以缩小所述光阻单元的宽度；
[0014]沉积IDT金属，并通过金属剥离工艺，剥离所述IDT光阻结构以及去除多余的所述金属，得到所需的IDT结构。
[0015]本专利技术还提供了一种SAW滤波器，所述SAW滤波器的IDT通过上述的制备方法制造而成。
[0016]本专利技术的有益效果在于：
[0017]本专利技术在常规制备方法的基础上，通过引入烤箱固化+光阻单元尺寸微调，可以根据不同的尺寸设计，调整IDT光阻结构曝光后的CD，实现250～500nm不同尺寸的中高频SAW滤波器的IDT的制备。
[0018]传统的SAW IDT制备工艺中IDT光刻均采用负胶光刻工艺，即使采用descum工艺，也是去除光刻胶残留的作用，而本申请通过烤箱固化+descum做PR CD trimming，利用了descum对于光刻胶的刻蚀性能，可以根据不同的design CD，协调descum时间，得到不同的CD线宽。
附图说明
[0019]图1为本专利技术一实施例的中高频SAW滤波器的IDT的制备方法的步骤流程图。
[0020]图2至图5为本专利技术一实施例的中高频SAW滤波器的IDT的制备方法各步骤对应的结构示意图。
[0021]附图标记说明：
[0022]10
‑
基板；20
‑
光阻单元；30
‑
IDT金属。
具体实施方式
[0023]以下结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。根据下面的说明和附图，本专利技术的优点和特征将更清楚，然而，需说明的是，本专利技术技术方案的构思可按照多种不同的形式实施，并不局限于在此阐述的特定实施例。附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。
[0024]应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
[0025]空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其
它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
[0026]在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
[0027]如果本文的方法包括一系列步骤，且本文所呈现的这些步骤的顺序并非必须是可执行这些步骤的唯一顺序，且一些的步骤可被省略和/或一些本文未描述的其他步骤可被添加到该方法。若某附图中的构件与其他附图中的构件相同，虽然在所有附图中都可轻易辨认出这些构件，但为了使附图的说明更为清楚，本说明书不会将所有相同构件的标号标于每一图中。
[0028]本专利技术提供了一种中高频SAW滤波器的IDT的制备方法，图1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种中高频SAW滤波器的IDT的制备方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板上通过黄光工艺形成IDT光阻结构，所述IDT光阻结构包括多个间隔设置的光阻单元；将所述基板置入烤箱中，对所述IDT光阻结构进行固化；固化完成后，对所述光阻单元的尺寸进行微调，以缩小所述光阻单元的宽度；沉积IDT金属，并通过金属剥离工艺，剥离所述IDT光阻结构以及去除多余的金属，得到所需的IDT结构。2.根据权利要求1所述的中高频SAW滤波器的IDT的制备方法，其特征在于，通过descum工艺对所述光阻单元的尺寸进行微调。3.根据权利要求2所述的中高频SAW滤波器的IDT的制备方法，其特征在于，所述descum工艺包括：将所述基板置入反应腔室中，向所述反应腔室中通入氧气，在设定工艺条件下，使部分所述光阻单元形成可挥发性气体。4.根据权利要求2所述的中高频SAW滤波器的IDT的制备方法，其特征在于，预先设计所述光阻单元的宽度以及相邻所述光阻单元之间的间隔以及descum工艺条件，使微调之后的相邻所述光阻单元之间的间隔满足设定尺寸。5.根据权利要求4所述的中高频SAW滤波器的IDT的制备方法，其特征在于，预先设计的相邻所述光阻单元之间的间隔小于所述I...

【专利技术属性】
技术研发人员：张新，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：