一种半导体器件及其制造方法技术

本申请提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底；隔离层，设置于衬底上；多个间隔设置的电容结构，设置于隔离层上，电容结构包括自下而上依次层叠的第一电极层、绝缘层和第二电极层；介电层，覆盖隔离层和电容结构，其中，介电层通过旋涂形成。本申请方案中的介电层通过旋涂形成，介电层具有平整的顶表面，省去了CMP工艺流程，能够简化工艺流程并节约成本，同时提高了不同电容结构的性能一致性，进而提高了器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

1、集成无源器件(integrated passive device，简称ipd)滤波器是一种利用ipd技术将电容、电感等无源器件集成在单一芯片上的滤波器。其中，ipd滤波器中的电容一般为金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，简称mim)电容，在mim电容制备完成后，一般选择氧化层作为包裹mim电容的介电层。

2、作为介电层的氧化层一般为随形沉积(conformal deposition)，例如采用化学气相沉积(chemical vapor deposition，简称cvd)工艺或原子层沉积(atomic layerdeposition，简称ald)工艺沉积形成氧化层，其沉积的形貌受其所覆盖的结构的形貌影响，导致顶表面波动。因此，在沉积氧化层之后，需要采用化学机械抛光(chemical mechanicalpolishing，简称cmp)工艺对氧化层进行平坦化处理。

3、然而，由于ipd滤波器一般包括多个间隔设置的mim电容，导致氧化层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述介电层的材质包括有机介电层，所述有机介电层的材质包括聚酰亚胺或苯并环丁烯。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖至少部分所述电容结构，所述介电层覆盖所述扩散阻挡层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述扩散阻挡层的材质包括氮化硅。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

7.一种半导体器件的制造方法，其特...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述介电层的材质包括有机介电层，所述有机介电层的材质包括聚酰亚胺或苯并环丁烯。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖至少部分所述电容结构，所述介电层覆盖所述扩散阻挡层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述扩散阻挡层的材质包括氮化硅。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁月珂，杨军，陈达，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：