一种半导体器件及其制备方法技术

本申请公开一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：衬底；有源层，形成于衬底上方；金属互连层，形成于有源层上方，其包括交替层叠设置的多个金属布线层和多个金属间介质层，其中，每层金属布线层中邻近其周向边缘的位置均设置有屏蔽环，相邻两层金属布线层中的屏蔽环通过金属间介质层中的第一通孔中填充的导电材料形成导电连接；顶层屏蔽层，形成于金属互连层上方，且与最上层的金属布线层中的屏蔽环导电连接；底层屏蔽层，形成于衬底下方及第二通孔的内壁，第二通孔贯穿衬底和有源层，且至少部分地露出最下层的金属布线层中的屏蔽环，底层屏蔽层与最下层的金属布线层中的屏蔽环导电连接。本申请可以显著提升半导体器件的工作稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体而言涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

1、高集成度趋势下，多芯片系统上存在多种不同功能的芯片，且集成度越来越高，存在水平方向和垂直方向的组合，不同芯片之间容易产生电磁干扰。为了解决电磁干扰问题，需要设置电磁屏蔽层，以保证芯片的工作环境的稳定性。

2、目前，电磁屏蔽层通常设置在半导体器件(诸如芯片等)的封装体上，会占用较多空间，增加半导体器件整体的体积。

3、因此需要进行改进，以至少部分地解决上述问题。

技术实现思路

1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

2、为了至少部分地解决上述问题，根据本专利技术的第一方面，提供了一种半导体器件，其包括：

3、衬底；

4、有源层，形成于所述衬底上方；

5、金属互连层，形成于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

5.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，

10.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

5.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫杰，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：