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本申请公开一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：衬底；有源层，形成于衬底上方；金属互连层，形成于有源层上方，其包括交替层叠设置的多个金属布线层和多个金属间介质层，其中，每层金属布线层中邻近其周向边缘的位置均设置有屏蔽环，相邻两层金属布...
该专利属于中芯集成电路（宁波）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯集成电路（宁波）有限公司授权不得商用。

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