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本申请提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底；隔离层，设置于衬底上；多个间隔设置的电容结构，设置于隔离层上，电容结构包括自下而上依次层叠的第一电极层、绝缘层和第二电极层；介电层，覆盖隔离层和电容结构，其中，介电层通过旋涂形成...
该专利属于中芯集成电路（宁波）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯集成电路（宁波）有限公司授权不得商用。

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