具有密封空气谐振腔的半封装结构、模组及电子设备制造技术

本发明专利技术公开了一种具有密封空气谐振腔的半封装结构、模组及电子设备。该半封装结构包括：芯片体，具有电极面，与电极面相对的背面、以及连接电极面和背面的侧面，在电极面上形成有多个电极；介电层，具有表面，在表面和电极面之间形成空腔，用于容纳多个电极；位于空腔内的多个凸块，环绕在电极的外周，并且连接表面和电极面；近密封圈，近密封圈的内侧位于芯片体的外形线围合范围内，形成重叠区域；基板阻焊层，覆盖表面、侧面以及背面，并且基板阻焊层连接电极面与近密封圈。本发明专利技术的生产效率高、流程简单、成本更低。成本更低。成本更低。

【技术实现步骤摘要】
具有密封空气谐振腔的半封装结构、模组及电子设备


[0001]本专利技术涉及一种具有密封空气谐振腔的半封装结构，同时也涉及包含该半封装结构的模组及电子设备，属于半导体封装


技术介绍

[0002]目前，表面声波滤波器(简称为SAW滤波器)在射频前端模块中得到广泛应用。SAW滤波器具有很多优点，包括工作频率高、通频带宽、选频特性好、体积小和重量轻等特点，而且可采用与集成电路相同的生产工艺，制造简单，成本低，频率特性的一致性好。
[0003]SAW滤波器是在一块具有压电效应的材料基片上蒸发一层金属膜，然后经光刻，在两端各形成一对叉指(IDT)换能器。因此，针对SAW滤波器的封装必须要保证叉指换能器表面不能接触其他物质，即需保证其芯片表面是空腔结构，否则影响信号传输。
[0004]当前，SAW滤波器最主流的封装方式是在基板上焊接滤波器，再覆膜、包封、切单，随后二次封装到基板上。或者，在晶圆端完成封盖和挡墙的制作，再封装到模组中。这样的工艺流程相对复杂，成本高。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的首要技术问题在于提供了一种具有空气谐振腔的半封装结构。
[0006]本专利技术所要解决的另一技术问题在于提供了一种包含上述半封装结构的模组。
[0007]本专利技术所要解决的又一技术问题在于提供了一种包含上述半封装结构的电子设备。
[0008]为实现上述技术目的，本专利技术采用以下的技术方案：
[0009]根据本专利技术实施例的第一方面，提供一种具有密封空气谐振腔的半封装结构，包括：
[0010]芯片体，具有电极面，与所述电极面相对的背面、以及连接所述电极面和所述背面的侧面，在所述电极面上形成有多个电极；
[0011]介电层，具有表面，在所述表面和所述电极面之间形成空腔，用于容纳多个电极；
[0012]位于所述空腔内的多个凸块，环绕在所述电极的外周，并且连接所述表面和所述电极面；
[0013]近密封圈，所述近密封圈的内侧位于所述芯片体的外形线围合范围内，形成重叠区域；
[0014]基板阻焊层，覆盖所述表面、所述侧面以及所述背面，并且所述基板阻焊层连接所述电极面与所述近密封圈。
[0015]其中较优地，所述近密封圈延伸进入所述重叠区域，并且位于所述芯片体与所述近密封圈的表面之间，以将所述芯片体与所述近密封圈之间的缝隙封堵。
[0016]其中较优地，所述近密封圈为非连续金属或绝缘围栏，存在间隙。
[0017]其中较优地，所述半封装结构还包括位于所述介电层的盲孔，所述介电层的表面
与所述盲孔的底部之间形成高度差，
[0018]所述凸块的一部分被限制在所述盲孔内。
[0019]其中较优地，所述近密封圈由铜柱和第二介电层组成。
[0020]其中较优地，所述第二介电层采用光固化或光热混合固化干膜型材料，夹设于所述基板阻焊层与所述介电层的表面之间，并且位于所述凸块的外周。
[0021]其中较优地，所述第二介电层围绕所述铜柱，并且填充满所述铜柱与所述凸块之间的区域。
[0022]其中较优地，所述半封装结构还包括屏蔽层，
[0023]所述近密封圈的表面与屏蔽层通过通孔电连接，以利用所述屏蔽层、所述通孔以及所述近密封圈共同实现屏蔽。
[0024]根据本专利技术实施例的第二方面，提供一种模组，其中包含如前述的具有密封空气谐振腔的半封装结构。
[0025]根据本专利技术实施例的第三方面，提供一种电子设备，其中包含如前述的具有密封空气谐振腔的半封装结构。
[0026]与现有技术相比较，本专利技术具有以下的技术特点：1)利用板级(panel level)的空腔制作，使得生产效率高；由于在基板常规流程阻焊前完成滤波器焊接，阻焊压膜形成空腔，因此流程简单，成本更低；2)利用不连续的近密封圈，以保证滤波器焊接后清洁的过程中，焊接杂质可以通过间隙，确保滤波器性能；3)利用基板阻焊层对近密封圈与芯片体之间形成的间隙进行封堵，以保证阻焊压膜过程中，阻焊材料不会溢流到叉指电极表面，保证滤波器性能；4)可以采用基板常规工艺，设置屏蔽层，避免信号干扰；5)适用于单颗裸芯片封装结构，可直接覆膜出货。
附图说明
[0027]图1为本专利技术第一实施例中，具有密封空气谐振腔的半封装结构的横剖面示意图；
[0028]图2为图1所示半封装结构的俯视示意图；
[0029]图3为本专利技术第二实施例中，具有密封空气谐振腔的半封装结构的横剖面示意图；
[0030]图4为图3所示半封装结构的俯视示意图；
[0031]图5为本专利技术第三实施例中，具有密封空气谐振腔的半封装结构的横剖面示意图；
[0032]图6为图5所示半封装结构的俯视示意图；
[0033]图7为本专利技术第四实施例中，具有密封空气谐振腔的半封装结构的横剖面示意图；
[0034]图8为图7所示半封装结构的俯视示意图。
具体实施方式
[0035]下面结合附图和具体实施例对本专利技术的
技术实现思路
进行详细具体的说明。
[0036](第一实施例)
[0037]如图1所示，本专利技术实施例提供的半封装结构包括芯片体1，介电层2，位于空腔3内的多个凸块(bump)4。
[0038]芯片体1，以下以SAW滤波器芯片为例进行说明。芯片体1由晶片制成，其具有电极面10A，与电极面10相对的背面10B、以及连接电极面10A和背面10B的侧面10C。电极面10A上
形成有多个电极(例如叉指电极)12以及多个凸块4。
[0039]空腔内的凸块4是多个，可以是铜柱，也可以是焊料等。凸块4的高度(回流焊(Reflow)后的高度)相对空腔的高度或高或低。凸块4环绕电极2的外周设置，以在芯片体1与介电层2之间形成覆盖电极2的空腔3。如果采用铜制的凸块4环绕电极2设置，那么凸块4可以在发挥支撑作用的同时发挥导电作用。
[0040]在芯片体1的背面10B和侧面10C，以及在介电层2的与侧面10C相邻的表面20，均覆盖有基板阻焊层11。基板阻焊层11是将阻焊材料涂覆在背面10B和侧面10C、表面20而形成的连续覆盖层。表面20上设置有导电垫片21，其位置与凸块4对应。凸块4连接表面20与电极面10A。
[0041]结合图1和图2所示，在空腔3的四周形成有近密封圈31。近密封圈31是由铜制的或由绝缘材料制成的。近密封圈31也可以用与介电层2相同的介电材料制成。近密封圈31的内侧312位于芯片体1的外形线围合范围内。换言之，近密封圈31的内侧312位于，芯片体1的轮廓在介电层2的表面20上的投影的范围内。在此，“内”是指朝向芯片的几何中心点的方向；“外”是指远离芯片的几何中心的方向。换言之，近密封圈31的内侧312，位于芯片体1的侧面10C在介电层2上的投影线(图2中虚线所示)的内部。即，在图2中所示的垂直方向上，芯片体1的侧面10C的投影(图2中虚线框所示)与近密封圈31部分重叠，形成如图1中虚线圈本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有密封空气谐振腔的半封装结构，其特征在于包括：芯片体，具有电极面，与所述电极面相对的背面、以及连接所述电极面和所述背面的侧面，在所述电极面上形成有多个电极；介电层，具有表面，在所述表面和所述电极面之间形成空腔，用于容纳多个电极；位于所述空腔内的多个凸块，环绕在所述电极的外周，并且连接所述表面和所述电极面；近密封圈，所述近密封圈的内侧位于所述芯片体的外形线围合范围内，形成重叠区域；基板阻焊层，覆盖所述表面、所述侧面以及所述背面，并且所述基板阻焊层连接所述电极面与所述近密封圈。2.如权利要求1所述的具有密封空气谐振腔的半封装结构，其特征在于：所述近密封圈延伸进入所述重叠区域，并且位于所述芯片体与所述近密封圈的表面之间，以将所述芯片体与所述近密封圈之间的缝隙封堵。3.如权利要求2所述的具有密封空气谐振腔的半封装结构，其特征在于：所述近密封圈为非连续金属或绝缘围栏，存在间隙。4.如权利要求3所述的具有密封空气谐振腔的半封装结构，其特征在于还包括位于所述介电层的盲孔，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱龙秀，龙建飞，刘立筠，张巳龙，白云芳，
申请(专利权)人：唯捷创芯天津电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：