声表面波器件的制造方法、声表面波器件及射频模组技术

本申请提供一种声表面波器件及制造方法和射频模组，制造方法包括形成晶圆焊盘，晶圆焊盘植球，减薄，减薄后的晶圆厚度小于等于170um、晶圆切割形成晶粒，将晶粒倒装在基板的基板焊盘上，封装形成封装体后切割。通过上述的制造方法，能够避免封装尺寸缩小时容易造成的短路，可能出现的空隙，导致连接失败的问题。导致连接失败的问题。导致连接失败的问题。

【技术实现步骤摘要】
声表面波器件的制造方法、声表面波器件及射频模组


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言涉及一种声表面波器件的制造方法、声表面波器件及射频模组。

技术介绍

[0002]声表面波器件的制造过程通常分为：晶粒制造、前道工艺(晶圆加工)和后道工艺(封装测试)。现有的声表面波器件的制造方法得到的声表面波器件，封装形式厚度较厚，不满足当前射频模块的要求；而且封装尺寸较大，不满足当前尺寸小型化的要求。
[0003]现有技术中，晶粒和基板主要采用通过焊球倒扣焊或者在晶粒和基板上设置凸点，通过凸点互连的方式实现连接，虽然可以保持相对位置的精度，确保临时定位效果好，但一旦将封装尺寸缩小，也就是连接间距缩小，就容易造成短路，降低成品率，还有可能出现空隙，导致连接失败。

技术实现思路

[0004]本申请的主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种能够保证声表面波器件的性能良好且尺寸较小的制造方法、声表面波器件及射频模组。
[0005]为实现上述目的，本申请采用如下技术方案：
[0006]根据本申请的一个方面，提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声表面波器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，晶圆焊盘形成步骤，提供晶圆，所述晶圆具有相背设置的第一晶圆表面和第二晶圆表面，所述第一晶圆表面具有响应于声表面波的多个功能区和在所述多个功能区之间的非功能区，在所述非功能区形成晶圆焊盘；S2，植球步骤，在所述晶圆焊盘的表面形成多个焊球，所述焊球与所述晶圆焊盘冶金连接；S3，减薄步骤，将所述晶圆的第一晶圆表面固定在夹持装置上，对所述第二晶圆表面进行减薄，减薄后所述晶圆的厚度小于等于170um；S4，晶圆切割步骤，在所述晶圆焊盘中相邻的焊球之间设置切割道，沿着所述切割道进行晶圆切割，形成多个晶粒；S5，晶粒倒装步骤，提供基板，所述基板的表面设置有基板焊盘，将所述晶粒通过所述焊球倒装焊接到所述基板焊盘上；S6，封装步骤，将封装结构覆盖所述基板与所述晶粒远离所述基板的表面，形成封装体；S7，切割步骤，切割所述封装体形成多个所述声表面波器件。2.根据权利要求1所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，步骤S2中，通过打火放电将焊丝熔化为焊球，焊球被移动到所述晶圆焊盘的表面进行超声波热压焊接，实现焊球与晶圆焊盘的冶金连接。3.根据权利要求2所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，在所述晶圆焊盘表面第一焊点处完成种植焊球后，所述焊球的线尾被裁断后，从所述第一焊点处移动至第二焊点处，继续下一个焊球的种植。4.根据权利要求2所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，步骤S2中，所述焊丝直径为15um～22um，所述焊球的直径为40um～80um。5.根据权利要求2所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，步骤S2中，所述超声波热压焊接的工艺参数为：超声波电流为10mA～90mA，植球时间为5ms
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40ms，植球压力为10g～60g。6.根据权利要求1所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，所述焊球在所述基板上的投影总面积是所述晶圆焊盘在所述基板上的投影总面积的10％
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95％。7.根据权利要求1所述的声表面波器件的制造方法，其特征在于，步骤S3中，采用减薄装置对所述第二晶圆表面进行减薄，沿所述第二晶圆表面设置运动轨迹，所述运动轨迹为同心圆周、螺旋线、正弦线中的一种或几种，所述减薄装置沿所述运动轨迹运动并同时在自转。8.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李朋，吴洋洋，曹庭松，张同同，贾德宝，
申请(专利权)人：北京超材信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：