【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言涉及一种声表面波滤波器和射频模组。
技术介绍
1、声表面波(surface acoustic wave saw)滤波器是利用叉指在压电衬底表面上激发、监测和接收声表面波的滤波器件。声表面波是一种对其传播表面非常敏感的机械波，对声表面波器件来讲，芯片表面需要有真空或空气层，封装材料不可与其表面直接接触，直接接触芯片表面的封装方式不能用于声表面波器件的封装。
2、声表面波滤波器的市场随着通信频段的增加而快速增长，对器件的小型化、超薄化的要求日益提高。声表面波滤器目前主要的封装技术主要采用引线键合封装形式。现有声表面波滤波器存在以下缺点：
3、现有声表面波滤波器的封装形式厚度较厚，不满足当前射频模块的要求。
4、现有的封装基板尺寸较大，不满足当前尺寸小型化的要求。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种厚度小的薄型声表面波滤波器。
2、为实现上述目的，本申请采用如下技术方案：
3、根据本申请的一个方面，提供一种声表面波滤波器包括晶圆、基板、焊球和封装结构。所述晶圆包括相背设置的晶圆一表面和晶圆二表面，以及连接所述晶圆一表面和所述晶圆二表面的晶圆侧表面。所述基板包括相背设置的基板一表面和基板二表面。焊球设置于所述晶圆一表面和所述基板一表面之间，并将所述晶圆固定于所述基板一表面。所述封装结构覆盖所述晶圆二表面，并沿所述晶圆侧表面延伸覆盖至所述基板一表面，所述封装结构具
4、根据本申请的一实施方式，所述声表面波器滤波器的厚度h为260um-350um。
5、根据本申请的一实施方式，所述声表面波器滤波器的厚度h为310um-400um。
6、根据本申请的一实施方式，定义所述封装结构表面与所述晶圆二表面之间的垂直距离为第一厚度h1，其中，所述第一厚度h1为40um-160um。定义晶圆一表面和晶圆二表面之间的垂直距离为第二厚度h2，其中，所述第二厚度h2为120um-165um。定义晶圆一表面和基板一表面之间的垂直距离为第三厚度h3，其中，所述第三厚度h3为5um-75um。定义基板一表面与基板二表面之间的垂直距离为第四厚度h4，其中，所述第四厚度h4为80um-200um。
7、根据本申请的一实施方式，所述晶圆包括：高声速支撑衬底、压电薄膜和idt电极。所述高声速支撑衬底为硅衬底或蓝宝石衬底；压电薄膜直接或间接设置在所述高声速支撑衬底的表面上；所述idt电极设置在所述压电薄膜远离所述高声速支撑衬底的表面上。
8、根据本申请的一实施方式，所述晶圆还包括中间层，所述中间层设置在所述高声速支撑衬底与所述压电薄膜之间，所述中间层的密度在1.8g/cm3-3.0g/cm3之间。
9、根据本申请的一实施方式，所述高声速支撑衬底的厚度为10um-170um，所述中间层的厚度为0.2um-20um，所述压电薄膜的厚度为0.1um-5um。
10、根据本申请的一实施方式，定义所述声表面波滤波器响应于声表面波的波长为λ，所述高声速支撑衬底的厚度为20λ-400λ，所述中间层的厚度小于等于10λ，所述压电薄膜的厚度小于等于3.5λ。
11、根据本申请的一实施方式，所述中间层的厚度为0.3λ-2λ，所述压电薄膜的厚度小于等于0.5λ。
12、根据本申请的一实施方式，所述idt电极包括缓冲层和金属层。缓冲层设置在所述压电薄膜上，所述缓冲层的厚度小于等于0.5％λ。金属层置在所述缓冲层远离所述压电薄膜的表面上，所述金属层的厚度为1％λ-30％λ。
13、根据本申请的一实施方式，所述声表面波滤波器还包括屏蔽结构，所述屏蔽结构包覆所述封装结构，并连接到所述基板。
14、根据本申请的另一方面，提供一种射频模组，包含非声表面波器件和如上的声表面波滤波器，所述非声表面器件为电感、电容、功率放大器、低噪声放大器、开关中的一种或几种。
15、由上述技术方案可知，本申请提出的声表面波滤波器的优点和积极效果在于：
16、本申请提出的声表面波滤波器，包括：晶圆、基板、焊球和封装结构。焊球设置于晶圆和基板之间，并将晶圆固定于基板，焊球将晶圆倒装在基板上，能够避免正装所需的引线等结构，有利于减小声表面波滤波器的整体厚度。封装结构覆盖晶圆，并沿晶圆侧表面延伸覆盖至基板，封装结构具有远离晶圆的封装结构表面；定义封装结构表面与基板二表面之间的垂直距离为声表面波滤波器的厚度h，其中，声表面波滤波器的厚度h为260um-400um。该声表面波滤波器厚度小，能够满足薄型化的要求。
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1.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器的厚度H为260um-350um。
3.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器的厚度H为310um-400um。
4.根据权利要求1-3任一项所述的声表面波滤波器，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述晶圆包括：
6.根据权利要求5所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述晶圆还包括中间层，所述中间层设置在所述高声速支撑衬底与所述压电薄膜之间，所述中间层的密度在1.8g/cm3-3.0g/cm3之间。
7.根据权利要求6所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述高声速支撑衬底的厚度为10um-170um，所述中间层的厚度为0.2um-20um，所述压电薄膜的厚度为0.1um-5um。
8.根据权利要求6所述的声表面波滤波器，其特征在于，定义所述声表面波滤波器响应于声表面波的波长为λ，所述高声速支撑衬底的厚度为20λ-400λ，所述中间
9.根据权利要求8所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述中间层的厚度为0.3λ-2λ，所述压电薄膜的厚度小于等于0.5λ。
10.根据权利要求8所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述IDT电极包括：
11.根据权利要求5-10任一项所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器还包括屏蔽结构，所述屏蔽结构包覆所述封装结构，并连接到所述基板。
12.一种射频模组，其特征在于，包含非声表面波器件和如权利要求1-11任一项所述的声表面波滤波器，所述非声表面波器件为电感、电容、功率放大器、低噪声放大器、开关中的一种或几种。
...【技术特征摘要】
1.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器的厚度h为260um-350um。
3.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器的厚度h为310um-400um。
4.根据权利要求1-3任一项所述的声表面波滤波器，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述晶圆包括：
6.根据权利要求5所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述晶圆还包括中间层，所述中间层设置在所述高声速支撑衬底与所述压电薄膜之间，所述中间层的密度在1.8g/cm3-3.0g/cm3之间。
7.根据权利要求6所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述高声速支撑衬底的厚度为10um-170um，所述中间层的厚度为0.2um-20um，所述压电薄膜的厚度为0.1u...
【专利技术属性】
技术研发人员：李朋，吴洋洋，曹庭松，杨扬，
申请(专利权)人：北京超材信息科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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