剥离工艺制备叉指电极的方法技术

本发明专利技术涉及半导体加工工艺技术领域，尤其是涉及一种剥离工艺制备叉指电极的方法。具体包括如下步骤：（a）在基片表面涂覆正性光刻胶形成第一光刻胶层，然后进行烘烤、曝光、显影，得到正性光刻胶图形；（b）继续涂覆负性光刻胶形成第二光刻胶层，然后进行烘烤、曝光，再去除正性光刻胶图形，得到负性光刻胶图形；（c）在基片表面沉积金属层，然后去除负性光刻胶图形，得到叉指电极；其中，第二光刻胶层的厚度小于第一光刻胶层的厚度；正性光刻胶图形的侧面为正梯形形状。本发明专利技术利用正性光刻胶曝光显影后形成的正梯形的互补结构，得到倒梯形形状的负胶，既克服了正胶剥离残留的困难，也克服了负胶分辨率低的问题，能够得到质量高的叉指电极。极。极。

【技术实现步骤摘要】
剥离工艺制备叉指电极的方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工工艺
，尤其是涉及一种剥离工艺制备叉指电极的方法。

技术介绍

[0002]声表面波器件制备工艺中涉及叉指电极的加工，即在压电晶圆上制作叉指电极阵列。现有制备方法的基本步骤是在基片上涂覆光刻胶，经过前烘、曝光、中烘后形成光刻胶层，然后经过显影形成对应图形的光刻胶掩模。在光刻胶掩模上通过蒸镀、溅射等镀膜手段制备金属电极层，然后通过可溶解光刻胶的溶剂对光刻胶剥离，得到叉指电极。这种工艺方法形成的光刻胶图形的侧面形状影响剥离，既而影响叉指电极的光滑度，从而影响声表面波器件的质量。
[0003]随着声表面波器件频率的增高，器件的尺寸不断减小，加工的线条越来越细，对光刻胶分辨率的要求也越来越高。正性光刻胶比负性光刻胶具有更高的深宽比，细线宽制程工艺使用正性光刻胶允许更厚的光刻胶膜；另一方面，显影过程中，随显影液溶剂渗透入光刻胶，大多数负性光刻胶会发生变形和溶胀，导致图形尺寸发生改变，限制了负性光刻胶的分辨率。因此，与负性光刻胶相比，正性光刻胶更高的高宽比和更小的膨胀可以用于较厚的光刻胶膜保护层，有利于提供较好的台阶覆盖和缺陷保护，以及更大的干刻抗蚀力，可以提供相等的分辨率。
[0004]理想的曝光工艺只传递曝光辐射至要产生图形的光刻胶区，然后在实际的曝光过程中，由于衍射和散射的影响，能量是以发散的方式传播的，光刻胶中所接受的辐照具有一定的分布。对于正性光刻胶而言，显影后的光刻胶端面是有一定角度的斜坡，光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度不是理想的90
°
，不够垂直的光刻胶断面将在被刻蚀层上导致更宽线条的腐蚀，降低分辨率。正性光刻胶形成的光刻胶图形侧面陡直，上窄下宽，容易与金属层相连，不易剥离。因而，开发一种能够易于剥离且能保证光刻胶分辨率，实现高光滑度的叉指电极具有重要意义。
[0005]有鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供剥离工艺制备叉指电极的方法，以解决现有技术中存在的叉指电极的制备难以兼顾剥离性和光刻胶分辨率等技术问题。
[0007]为了实现本专利技术的上述目的，特采用以下技术方案：剥离工艺制备叉指电极的方法，包括如下步骤：（a）在基片表面涂覆正性光刻胶形成第一光刻胶层，然后进行烘烤、曝光、显影，得到正性光刻胶图形；（b）在具有正性光刻胶图形的基片表面涂覆负性光刻胶形成第二光刻胶层，然后进行烘烤、曝光，再去除正性光刻胶图形，得到负性光刻胶图形；
（c）在具有负性光刻胶图形的基片表面沉积金属层，然后去除负性光刻胶图形，得到叉指电极；其中，所述第二光刻胶层的厚度小于所述第一光刻胶层的厚度；所述正性光刻胶图形的侧面为正梯形形状。
[0008]本专利技术的叉指电极的制备方法，利用正性光刻胶曝光显影后形成的正梯形的互补结构，得到负性光刻胶的倒梯形形状，既克服了正性光刻胶剥离残留的困难，也克服了负性光刻胶分辨率低的问题，能够得到质量高的叉指电极。
[0009]在本专利技术的具体实施方式中，所述正性光刻胶图形的侧面的正梯形形状的底角α满足：60
°
≤α＜90
°
。
[0010]在本专利技术的具体实施方式中，所述第一光刻胶层的厚度D1满足：100nm＜D1≤10μm；所述第二光刻胶层的厚度D2满足：100nm≤D1＜10μm。
[0011]在本专利技术的具体实施方式中，所述负性光刻胶图形的侧面为与所述正性光刻胶图形的侧面互补的倒梯形形状。
[0012]在本专利技术的具体实施方式中，所述负性光刻胶图形的侧面的倒梯形形状的底角β满足：90
°
＜β≤120
°
。
[0013]在本专利技术的具体实施方式中，所述基片包括晶圆。
[0014]在本专利技术的具体实施方式中，步骤（a）中，所述烘烤的温度为50~150℃。
[0015]在本专利技术的具体实施方式中，步骤（a）中，采用显影液进行所述显影，显影的时间为1~300s。进一步的，在所述显影后，采用水冲洗干净，吹干，得到正性光刻胶图形。
[0016]在本专利技术的具体实施方式中，步骤（b）中，所述去除正性光刻胶图形的方法包括：采用所述正性光刻胶的剥离液或显影液将所述正性光刻胶图形溶解。进一步的，所述负性光刻胶不溶解于所述正性光刻胶的剥离液或显影液。
[0017]在本专利技术的具体实施方式中，采用蒸镀或溅射的方法沉积所述金属层。
[0018]在本专利技术的具体实施方式中，步骤（c）中，所述去除负性光刻胶图形的方法包括：采用负性光刻胶剥离液去除所述负性光刻胶图形。
[0019]在本专利技术的具体实施方式中，所述金属层的厚度小于所述负性光刻胶图形厚度的1/3。
[0020]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：本专利技术的叉指电极的制备方法，利用正性光刻胶曝光显影后形成的正梯形的互补结构，得到负性光刻胶的倒梯形形状，既克服了正性光刻胶剥离残留的困难，也克服了负性光刻胶分辨率低的问题，能够得到侧壁陡直、光滑的金属叉指电极，有利于高频高性能器件的制备。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为本专利技术实施例1提供的剥离工艺制备叉指电极的流程示意图；
图2为本专利技术比较例1提供的制备叉指电极的流程示意图；图3为本专利技术比较例2提供的制备叉指电极的流程示意图；图4为本专利技术比较例3提供的制备叉指电极的流程示意图。
[0023]附图标记：
具体实施方式
下面将结合附图和具体实施方式对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，但是本领域技术人员将会理解，下列所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例，仅用于说明本专利技术，而不应视为限制本专利技术的范围。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
[0024]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0025]剥离工艺制备叉指电极的方法，包括如下步骤：（a）在基片表面涂覆正性光刻胶形成第一光刻胶层，然后进行烘烤、曝光、显影，得到正性光刻胶图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.剥离工艺制备叉指电极的方法，其特征在于，包括如下步骤：（a）在基片表面涂覆正性光刻胶形成第一光刻胶层，然后进行烘烤、曝光、显影，得到正性光刻胶图形；（b）在具有正性光刻胶图形的基片表面涂覆负性光刻胶形成第二光刻胶层，然后进行烘烤、曝光，再去除正性光刻胶图形，得到负性光刻胶图形；（c）在具有负性光刻胶图形的基片表面沉积金属层，然后去除负性光刻胶图形，得到叉指电极；其中，所述第二光刻胶层的厚度小于所述第一光刻胶层的厚度；所述正性光刻胶图形的侧面为正梯形形状。2.根据权利要求1所述的剥离工艺制备叉指电极的方法，其特征在于，所述正性光刻胶图形的侧面的正梯形形状的底角α满足：60
°
≤α＜90
°
。3.根据权利要求1所述的剥离工艺制备叉指电极的方法，其特征在于，所述第一光刻胶层的厚度D1满足：100nm＜D1≤10μm；所述第二光刻胶层的厚度D2满足：100nm≤D1＜10μm；D1和D2满足：1μm＜D1
‑
D2＜5μm。4.根据权利要求1所述的剥离工艺制备叉指电极的方法，其特征在于，所述负性光刻胶图形的侧面为与所述正性光刻胶图形的侧面互补的倒梯形形状；所述负性光刻胶图形的侧面的倒梯形形状的底角β满足：90
°
＜β≤120
°
...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵淄红，
申请(专利权)人：北京中科飞鸿科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：