一种集成化声波器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种集成化声波器件及其制造方法，方法包括：S1：制备含有作为第一谐振器第一基底及位于第一基底上方的第二谐振器第二基底的复合基板，并去除部分第二基底形成用于制备第一谐振器的第一制备区；S2：在复合基板的第一制备区制备三明治结构，在复合基板的第二制备区制备叉指结构，叉指结构与复合基板形成第二谐振器；S3：在复合基板的上方第一制备区及第二制备区覆盖临时保护层，去除复合基板第一制备区背面的第一基底以制备空腔，所述空腔尺寸小于三明治结构的尺寸；S4：去除所述临时保护层，形成第一谐振器。本发明专利技术通过在复合基板的不同位置进行不同的处理，能够同时激发两种声波模式，体积更小且同步性更好。体积更小且同步性更好。体积更小且同步性更好。

【技术实现步骤摘要】
一种集成化声波器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及滤波器领域，特别涉及一种集成化声波器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着5G技术的日益普及，射频通信技术面临着高频率、大带宽以及高功率的挑战。SAW(surface acoustic wave，声表面波)技术受限于功率密度及光刻技术发展，难以应用于3.5GHz以上场景。FBAR(film bulk acoustic resonator，薄膜体声波谐振器)滤波器与SAW滤波器相比，具备高Q值，工作频率可高达10GHz，温度特性好，插入损耗小，高功率容量等优点。
[0003]基于射频前端器件小型化的需求，滤波器的集成可以有效减少器件尺寸并兼顾性能和成本。但目前SAW滤波器主要应用场景为低频率频段，FBAR滤波器则主要应用于高频率频段。SAW滤波器一般采用LiTaO3或者LiNbO3基板，而FBAR滤波器则采用高阻硅基板，因此，由于基板材料不同，现有技术目前无法实现两者的集成化。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中两种滤波器因基板不同无法集成化的问题，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成化声波器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：制备含有作为第一谐振器第一基底及位于第一基底上方的作为第二谐振器第二基底的复合基板，并去除部分第二基底形成用于制备第一谐振器的第一制备区；S2：在复合基板的第一制备区制备三明治结构，在复合基板的第二制备区制备叉指结构，叉指结构与复合基板形成第二谐振器；S3：在复合基板的上方第一制备区及第二制备区覆盖临时保护层，去除复合基板第一制备区背面的第一基底以制备空腔，所述空腔尺寸小于三明治结构的尺寸；S4：去除所述临时保护层，形成第一谐振器。2.根据权利要求1所述的一种集成化声波器件的制造方法，其特征在于，步骤S1中，所述复合基板中的第一基底为高阻硅，所述第二基底为压电层。3.根据权利要求1所述的一种集成化声波器件的制造方法，其特征在于，所述复合基板的第一基底与第二基底之间设有二氧化硅层。4.根据权利要求1所述的一种集成化声波器件的制造方法，其特征在于，所述S1中采用刻蚀工艺去除部分第二基底形成用于制备第一谐振器的第一制备区。5.根据权利要求1所述的一种集成化声波器件的制造方法，其特征在于，所述S3中，采用刻蚀工艺去除复合基板第一制备区背面的第一基底以...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪泉，张树民，洪春，王国浩，王园园，
申请(专利权)人：杭州左蓝微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：