声波滤波器制备方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种声波滤波器制备方法，该方法包括：在外延结构的第一指定位置，去除三族氮化物半导体多层膜结构，暴露出上述单晶压电薄膜成核层的上表面，形成凹槽结构；在上述凹槽结构的侧壁和上述外延结构的表面沉积第一薄膜层，在上述凹槽结构的底面沉积第二薄膜层；将上述外延结构与外设的载片晶圆进行键合，上述凹槽结构与载片晶圆形成密封的空腔结构；在上述空腔结构对应的上述单晶压电薄膜成核层的第一指定位置沉积第一金属电极，得到体声波滤波器结构。该方法可以提高多晶压电薄膜滤波器的工作频率、带宽、机电耦合系数等性能参数，并进一步提升导热性。并进一步提升导热性。并进一步提升导热性。

【技术实现步骤摘要】
声波滤波器制备方法


[0001]本专利技术涉及微电子
，尤其是涉及一种声波滤波器制备方法。

技术介绍

[0002]商业AlN声波滤波器一般制作在磁控溅射沉积的多晶AlN薄膜上，一般采用Si衬底。薄膜沉积工艺相对简单、成本也较低，但由于是多晶材料，AlN薄膜中存在比较多的缺陷，机电耦合系数和导热率较低。AlN的材料质量通常以在XRD测试中(002)面摇摆曲线的半高宽作为一个重要指标。多晶AlN的(002)面摇摆曲线半高宽通常较高，而相比之下单晶AlN薄膜这个值可以做到小于0.5
°
。目前，主流声波滤波器多采用多晶AlN材料，材料缺陷多、导热率低，基于多晶材料的滤波器件机电耦合系数和工作频率难以提升，难满足未来高频、高带宽通讯应用。
[0003]进一步的，已经有相关基于单晶AlN材料和声波滤波器的学术研究和商业化产品。单晶AlN薄膜一般是在异质衬底上生长，例如蓝宝石、碳化硅和硅。已经有研究报道(Nanomaterials 2022,12,3082)，在SiC衬底上采用MOCVD生长了高质量的单晶AlN薄膜，其XRD测本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声波滤波器制备方法，其特征在于，包括：通过金属有机气相外延或者分子束外延的方式，在外延衬底上从下至上依次生长单晶压电薄膜成核层和三族氮化物半导体多层膜结构，得到外延结构；在所述外延结构的第一指定位置，去除所述三族氮化物半导体多层膜结构，暴露出所述单晶压电薄膜成核层的上表面，形成凹槽结构；在所述凹槽结构的侧壁和所述外延结构的表面沉积第一薄膜层，在所述凹槽结构的底面沉积第二薄膜层；所述第一薄膜层为绝缘介质，所述第二薄膜层为金属或绝缘介质或先绝缘介质再金属的叠层结构；将所述外延结构与外设的载片晶圆进行键合，剥离所述外延衬底，暴露出所述单晶压电薄膜成核层；其中所述凹槽结构与载片晶圆形成密封的空腔结构；在所述空腔结构对应的所述单晶压电薄膜成核层的第一指定位置沉积第一金属电极，得到体声波滤波器结构。2.根据权利要求1所述的声波滤波器制备方法，其特征在于，如果所述第一金属电极为叉指状电极结构，得到横向激发的体声波滤波器结构。3.根据权利要求1所述的声波滤波器制备方法，其特征在于，如果所述第二薄膜层为金属或先绝缘介质再金属的叠层结构；在所述空腔结构对应的所述单晶压电薄膜成核层的第二指定位置制作TSV通孔，并沉积第二金属电极与所述第二薄膜层相互连接，形成具有上下电极的体声波滤波器结构；其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：李成果，
申请(专利权)人：湖北九峰山实验室，
类型：发明
国别省市：