【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料，具体涉及一种无沟道耦合效应的gan多沟道结构及gan hemt器件。
技术介绍
1、现有的多沟道gan hemt结构，由于沟道与沟道之间存在耦合效应，导致各沟道的电子浓度降低，最终器件的输出电流虽有提升，但却不是倍增关系，因此，如何解决多沟道之间的耦合效应，具有重要意义。
技术实现思路
1、基于上述表述，本专利技术提供了一种无沟道耦合效应的gan多沟道结构，通过在gan/algan异质结之间设置沟道隔离层，从而消除了沟道与沟道之间的耦合效应。
2、本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：
3、一种无沟道耦合效应的gan多沟道结构，从下至上包括多个依次交替的gan沟道层、algan势垒层，所述gan沟道层与algan势垒层形成gan/algan异质结，相邻两个所述gan/algan异质结之间为沟道隔离层。
4、作为一种优选的实施方式，所述沟道隔离层的材料为无极化特性的介质。优选的，所述沟道隔离层的材料为空气、ga2o3、al2o
【技术保护点】
1.一种无沟道耦合效应的GaN多沟道结构，其特征在于，从下至上包括多个依次交替的GaN沟道层、AlGaN势垒层，所述GaN沟道层与AlGaN势垒层形成GaN/AlGaN异质结，相邻两个所述GaN/AlGaN异质结之间为沟道隔离层。
2.根据权利要求1所述的无沟道耦合效应的GaN多沟道结构，其特征在于，所述沟道隔离层的材料为无极化特性的介质。
3.根据权利要求1所述的无沟道耦合效应的GaN多沟道结构，其特征在于，所述沟道隔离层的材料为空气、Ga2O3、Al2O3、In2O3。
4.根据权利要求1～3任一项所述的无沟道耦合效应的GaN多...
【技术特征摘要】
1.一种无沟道耦合效应的gan多沟道结构，其特征在于，从下至上包括多个依次交替的gan沟道层、algan势垒层，所述gan沟道层与algan势垒层形成gan/algan异质结，相邻两个所述gan/algan异质结之间为沟道隔离层。
2.根据权利要求1所述的无沟道耦合效应的gan多沟道结构，其特征在于，所述沟道隔离层的材料为无极化特性的介质。
3.根据权利要求1所述的无沟道耦合效应的gan多沟道结构，其特征在于，所述沟道隔离层的材料为空气、ga2o3、al2o3、in2o3。
4.根据权利要求1～3任一项所述的无沟道耦合效应的gan多沟道结构，其特征在于，还包括衬底和缓冲层，所述多个依次交替的gan沟道层和algan势垒层制作在缓冲层上。
5.根据权利要求4所述的无沟道耦合效应的gan多沟道结构，其特征在于，所述缓冲层与最底部的gan沟道层...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴畅，刘安，王凯，李程程，周瑞，刘捷龙，黄镇，何琦，邢绍琨，
申请(专利权)人：湖北九峰山实验室，
类型：发明
国别省市：
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