【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料，具体涉及一种无沟道耦合效应的gan多沟道结构及gan hemt器件。
技术介绍
1、现有的多沟道gan hemt结构，由于沟道与沟道之间存在耦合效应，导致各沟道的电子浓度降低，最终器件的输出电流虽有提升，但却不是倍增关系，因此，如何解决多沟道之间的耦合效应，具有重要意义。
技术实现思路
1、基于上述表述，本专利技术提供了一种无沟道耦合效应的gan多沟道结构，通过在gan/algan异质结之间设置沟道隔离层，从而消除了沟道与沟道之间的耦合效应。
2、本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：
3、一种无沟道耦合效应的gan多沟道结构，从下至上包括多个依次交替的gan沟道层、algan势垒层，所述gan沟道层与algan势垒层形成gan/algan异质结，相邻两个所述gan/algan异质结之间为沟道隔离层。
4、作为一种优选的实施方式，所述沟道隔离层的材料为无极化特性的介质。优选的，所述沟道隔离层的材料为空气、ga2o3、al2o3、in2o3。
5、作为一种优选的实施方式，该结构还包括衬底和缓冲层，所述多个依次交替的gan沟道层和algan势垒层制作在缓冲层上。
6、作为一种优选的实施方式，所述缓冲层与最底部的gan沟道层之间制作有沟道隔离层。
7、优选的，所述衬底的材料为gan、si、aln、sic、al2o3，所述缓冲层为掺杂c或fe元素的gan。
8、作为一种优选的实
9、本专利技术还提供了上述gan多沟道结构的制备方法，其中，所述gan沟道层、algan势垒层通过外延生长的方式制作而成，所述沟道隔离层通过inaln牺牲层氧化或inaln牺牲层氧化并腐蚀或inaln牺牲层氧化、腐蚀并沉积介质制作得到。
10、本专利技术还提供了一种gan hemt器件，包括上述的gan多沟道结构。
11、与现有技术相比，本申请的技术方案主要优势在于：通过在gan/algan异质结之间设置沟道隔离层，使得各沟道电子之间不再相互影响，多沟道电流可以与沟道数量对应呈倍数增长，从而消除了沟道与沟道之间的耦合效应，且不会引入杂质散射效应，2deg的电子迁移率不会受到影响。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种无沟道耦合效应的GaN多沟道结构，其特征在于，从下至上包括多个依次交替的GaN沟道层、AlGaN势垒层，所述GaN沟道层与AlGaN势垒层形成GaN/AlGaN异质结，相邻两个所述GaN/AlGaN异质结之间为沟道隔离层。
2.根据权利要求1所述的无沟道耦合效应的GaN多沟道结构，其特征在于，所述沟道隔离层的材料为无极化特性的介质。
3.根据权利要求1所述的无沟道耦合效应的GaN多沟道结构，其特征在于，所述沟道隔离层的材料为空气、Ga2O3、Al2O3、In2O3。
4.根据权利要求1～3任一项所述的无沟道耦合效应的GaN多沟道结构，其特征在于，还包括衬底和缓冲层，所述多个依次交替的GaN沟道层和AlGaN势垒层制作在缓冲层上。
5.根据权利要求4所述的无沟道耦合效应的GaN多沟道结构，其特征在于，所述缓冲层与最底部的GaN沟道层之间制作有沟道隔离层。
6.根据权利要求4所述的无沟道耦合效应的GaN多沟道结构，其特征在于，所述衬底的材料为GaN、Si、AlN、SiC、Al2O3，所述缓冲层为掺杂C或Fe元素的Ga
7.根据权利要求1～3任一项所述的无沟道耦合效应的GaN多沟道结构，其特征在于，还包括源极、栅极和漏极，所述源极和漏极分别制作在GaN/AlGaN异质结的两侧且与其电连接，所述栅极位于源极和漏极之间。
8.权利要求1～7任一项所述的无沟道耦合效应的GaN多沟道结构的制备方法，其特征在于，所述GaN沟道层、AlGaN势垒层通过外延生长的方式制作而成，所述沟道隔离层通过InAlN牺牲层氧化或InAlN牺牲层氧化并腐蚀或InAlN牺牲层氧化、腐蚀并沉积介质制作得到。
9.一种GaN HEMT器件，其特征在于，包括权利要求1～7任一项所述的GaN多沟道结构。
...【技术特征摘要】
1.一种无沟道耦合效应的gan多沟道结构，其特征在于，从下至上包括多个依次交替的gan沟道层、algan势垒层，所述gan沟道层与algan势垒层形成gan/algan异质结，相邻两个所述gan/algan异质结之间为沟道隔离层。
2.根据权利要求1所述的无沟道耦合效应的gan多沟道结构，其特征在于，所述沟道隔离层的材料为无极化特性的介质。
3.根据权利要求1所述的无沟道耦合效应的gan多沟道结构，其特征在于，所述沟道隔离层的材料为空气、ga2o3、al2o3、in2o3。
4.根据权利要求1～3任一项所述的无沟道耦合效应的gan多沟道结构，其特征在于，还包括衬底和缓冲层，所述多个依次交替的gan沟道层和algan势垒层制作在缓冲层上。
5.根据权利要求4所述的无沟道耦合效应的gan多沟道结构，其特征在于，所述缓冲层与最底部的gan沟道层...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴畅，刘安，王凯，李程程，周瑞，刘捷龙，黄镇，何琦，邢绍琨，
申请(专利权)人：湖北九峰山实验室，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。