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本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种无沟道耦合效应的GaN多沟道结构。该结构从下至上包括多个依次交替的GaN沟道层、AlGaN势垒层，所述GaN沟道层与AlGaN势垒层形成GaN/AlGaN异质结，相邻两个所述GaN/AlGaN异质结...
该专利属于湖北九峰山实验室所有，仅供学习研究参考，未经过湖北九峰山实验室授权不得商用。

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