【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种阵列基板的制备，具体涉及一种降低过孔电阻的阵列基板制造方法。
技术介绍
1、随着液晶显示技术发展，薄膜晶体管液晶显示器越来越受欢迎。在lcd阵列基板的制造过程中，常常存在膜层间的过孔接触，不同膜层之间往往需要通过过孔搭接，而过孔的接触电阻大小严重影响产品的显示品质和长期可靠性。因此，在产品设计开发中，降低过孔接触电阻是提高产品品质的重要课题。
2、在液晶显示面板中常将钼/铝/钼金属与氧化铟锡进行过孔连接，为了降低过孔的接触电阻，设计上通过设计异形孔/多小孔设计使过孔面积尽可能最大化，改变膜层结构，增加搭接金属厚度等，工艺上通过优化过孔刻蚀工艺，减少过孔内顶层钼金属的损失。
3、如图1所述现有技术一种lcd阵列基板结构示意图，阵列基板结构由下至上分别是：tft(由第一金属层1+第一绝缘层2+半导体有源层3+第二金属层4组成，第一金属层1控制器件开关，第二金属层4进行数据传输)→第二绝缘层5、平坦层6→触控层(第三金属层(触控层)7+第三绝缘层8)→电极信号层(画素电极层9+第四绝缘层10+公共电极层11)，触控层7通过第二浅孔101与公共电极层11搭接，画素电极层9通过第一深孔82从第二金属层4得到信号，与公共电极层11形成压差，从而控制液晶翻转达到显示；ic信号区与最上方的公共电极层11接触，通过第二深孔102与第二金属层4/第一金属层1搭接降低电阻，通过第二浅孔101传递给下方的触控层7触控线；触控层7的信号线信号通过第一浅孔81传给画素电极层9，画素电极层9再通过第一深孔82传给第二
4、现有的深浅孔存在的问题在于：因为深浅孔同时蚀刻，浅孔位置的金属表面不可避免存在一定的过蚀刻，浅孔地方均为金属层与ito电极层(画素电极层或公共电极层)接触，其中金属层常使用mo/al/mo三层结构，由于过蚀刻，浅孔中的金属表层mo膜会被吃完，使金属al裸露，后续沉积画素电极层或公共电极层的ito膜层时，由于ito成膜工艺会通入氧气，此时氧气会优先与金属层的al发生氧化反应，导致金属与ito接触阻抗增大，造成讯号延迟，进而影响显示效果。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题，在于本专利技术是一种在原有架构下通过调整ito成膜工艺，避免浅孔过蚀刻导致氧气与金属层的al发生氧化反应，导致金属与ito接触阻抗增大，造成讯号延迟，进而影响显示效果。
2、本专利技术是这样实现的：一种降低过孔电阻的阵列基板制造方法，包括如下步骤：
3、s1、在玻璃基板上依次制备第一金属层、第一绝缘层、半导体有源层、第二金属层、第二绝缘层、平坦层、触控层及第三绝缘层，所述第二金属层与部分所述第一金属层搭接，所述第二金属层和触控层均使用mo/al/mo三层结构；
4、s2、通过干蚀刻工艺在所述第三绝缘层同时蚀刻形成第一浅孔和第一深孔，分别使所述触控层和第二金属层显露；
5、s3、在所述第三绝缘层上采用磁控溅射法制备画素电极层，所述画素电极层通过所述第一浅孔和第一深孔分别与显露的所述触控层和所述第二金属层搭接，所述画素电极层包括第一画素电极层和第二画素电极层，所述画素电极层的总厚度为500a～1000a，先制备所述第一画素电极层，工作气氛为氧气和氩气的混合气体，其中氧气含量低于2％体积百分比，所述第一画素电极层的厚度为所述画素电极层总厚度的20％～50％；再制备所述第二画素电极层，往氧气和氩气的混合气体中通入氧气，使氧气含量到达2％～10％体积百分比；
6、s4、在所述第二画素电极层上制备第四绝缘层，通过干蚀刻工艺在所述第四绝缘层上形成第二浅孔和第二深孔，分别使所述触控层和第二金属层显露；
7、s5、在所述第四绝缘层上制备公共电极层，所述公共电极层与显露的所述触控层和第二金属层搭接，所述公共电极层包括第一公共电极层和第二公共电极层，所述公共电极层的总厚度为700a～1200a，先制备所述第一公共电极层，工作气氛为氧气和氩气的混合气体，其中氧气含量低于2％体积百分比，所述第一公共电极层的厚度为所述公共电极层总厚度的20％～50％；再制备所述第二公共电极层，往氧气和氩气的混合气体中通入氧气，使氧气含量达到2％～10％体积百分比。
8、进一步的，所述第一金属层为栅极金属层，选自mo、al/mo、al/ti。
9、进一步的，所述第一绝缘层为栅极绝缘层，选自siox、sinx。
10、进一步的，所述半导体有源层选自铟镓锌氧化物、氧化锌、硫化镉。
11、进一步的，所述第二金属层为源漏电极金属层。
12、进一步的，步骤s3和步骤s5中制备所述画素电极层和所述公共电极层时，氩气气体流量控制在250sccm～350sccm。
13、进一步的，所述第二绝缘层为钝化层，选自siox、sinx。
14、进一步的，所述第三绝缘层选自siox、sinx。
15、进一步的，所述画素电极层和所述公共电极层均选用ito薄膜。
16、本专利技术的优点在于：本专利技术通过在沉积画素电极层或公共电极层的ito薄膜时，先在无氧或氧气含量低于2％气氛中制备第一层ito薄膜，再通入氧气，制备第二层ito薄膜，如此浅孔过蚀刻时，通过第一层ito薄膜在无氧或氧气含量低于2％时气氛中制备，避免氧气与金属层的al发生氧化反应，导致金属与ito接触阻抗增大，造成讯号延迟，进而影响显示效果，达到降低过孔电阻。
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1.一种降低过孔电阻的阵列基板制造方法，其特征在于：包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种降低过孔电阻的阵列基板制造方法，其特征在于：所述第一金属层为栅极金属层，选自Mo、Al/Mo、Al/Ti。
3.根据权利要求1所述的一种降低过孔电阻的阵列基板制造方法，其特征在于：所述第一绝缘层为栅极绝缘层，选自SiOx、SiNx。
4.根据权利要求1所述的一种降低过孔电阻的阵列基板制造方法，其特征在于：所述半导体有源层选自铟镓锌氧化物、氧化锌、硫化镉。
5.根据权利要求1所述的一种降低过孔电阻的阵列基板制造方法，其特征在于：所述第二金属层为源漏电极金属层。
6.根据权利要求1所述的一种降低过孔电阻的阵列基板制造方法，其特征在于：步骤S3和步骤S5中制备所述画素电极层和所述公共电极层时，氩气气体流量控制在250sccm～350sccm。
7.根据权利要求1所述的一种降低过孔电阻的阵列基板制造方法，其特征在于：所述第二绝缘层为钝化层，选自SiOx、SiNx。
8.根据权利要求1所述的一种降低过孔电阻的阵列
9.根据权利要求1所述的一种降低过孔电阻的阵列基板制造方法，其特征在于：所述画素电极层和所述公共电极层均选用ITO薄膜。
...【技术特征摘要】
1.一种降低过孔电阻的阵列基板制造方法，其特征在于：包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种降低过孔电阻的阵列基板制造方法，其特征在于：所述第一金属层为栅极金属层，选自mo、al/mo、al/ti。
3.根据权利要求1所述的一种降低过孔电阻的阵列基板制造方法，其特征在于：所述第一绝缘层为栅极绝缘层，选自siox、sinx。
4.根据权利要求1所述的一种降低过孔电阻的阵列基板制造方法，其特征在于：所述半导体有源层选自铟镓锌氧化物、氧化锌、硫化镉。
5.根据权利要求1所述的一种降低过孔电阻的阵列基板制造方法，其特征在于：所述第二金属层为源漏电...
【专利技术属性】
技术研发人员：张善霖，
申请(专利权)人：华映科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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