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本发明实施例提供了一种声波滤波器制备方法，该方法包括：在外延结构的第一指定位置，去除三族氮化物半导体多层膜结构，暴露出上述单晶压电薄膜成核层的上表面，形成凹槽结构；在上述凹槽结构的侧壁和上述外延结构的表面沉积第一薄膜层，在上述凹槽结构的底面...
该专利属于湖北九峰山实验室所有，仅供学习研究参考，未经过湖北九峰山实验室授权不得商用。

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