中芯集成电路宁波有限公司专利技术

中芯集成电路宁波有限公司共有364项专利

  • 本申请公开一种MEMS传感器结构,能够减小第一晶圆的边缘区域碎裂的几率,减小器件失效的几率,包括:第一晶圆,表面和/或内部形成有功能器件,第一晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面,且第一表面形成有焊盘,焊盘位于功能器件所在区域的外侧,电...
  • 本申请公开一种MEMS传感器结构,能够提升MEMS传感器结构的良率,包括:第一晶圆,用于形成功能器件,功能器件至少包括MEMS传感器,且第一晶圆上形成有贯穿第一晶圆上下表面的空腔,MEMS传感器位于空腔内,且空腔为一刻蚀空腔,由刻蚀剂刻...
  • 一种封装结构、封装方法以及滤波器,封装方法的形成通孔的步骤中,通孔侧壁的底部形成横向侧掏区域位于横向边缘区域,且通孔侧壁上形成有凹陷导致通孔侧壁的粗糙度较高,在形成保护层的步骤中,保护层会填充横向侧掏区域以及通孔侧壁上的凹陷,在去除通孔...
  • 本发明涉及薄膜体声波谐振器及其制造方法,包括:提供谐振腔主体结构,其包括第一衬底以及形成在第一衬底上的压电叠层结构,第一衬底和压电叠层结构之间形成有第一空腔;在环绕压电叠层结构的外围区域形成加固结构,其表面具有凹槽和/或凸起;提供第二衬...
  • 本申请公开一种可变焦透镜及其形成方法、光学设备,可变焦透镜包括:支撑体,所述支撑体及高度延伸方向以内为内侧区域;第一柔性透光片,所述第一柔性透光片位于所述内侧区域;制动组件,其中第一制动器和第二制动器分别位于所述第一柔性透光片两侧,以夹...
  • 一种可变焦透镜及其形成方法、以及电子设备,可变焦透镜包括:透光片;支撑件,位于柔性透光体的外周,且支撑件与透光片相间隔;驱动器,位于支撑件上且分布在透光片的外周,驱动器包括朝向透光片延伸的可动端,可动端能够在驱动器通电状态下沿垂直于支撑...
  • 本申请公开一种MEMS传感器结构及形成方法,能够减小第一晶圆的边缘区域碎裂的几率,减小器件失效的几率,包括:第一晶圆,表面和/或内部形成有功能器件,第一晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面,且第一表面形成有焊盘,焊盘位于功能器件所在区域...
  • 一种光电传感集成系统、镜头模组、电子设备,集成系统包括:CMOS外围芯片;互连柱,用于和镜头模组中的镜头组件电连接;封装层,至少包覆所述CMOS外围芯片、电容器和互连柱的侧壁,且所述封装层内形成有至少一个光电传感通孔;至少一个感光组件,...
  • 本实用新型提供了一种光学检测系统,包括,承载平台;位于承载平台上方的光学部件;所述承载平台表面设有承载治具;承载治具包括治具本体,所述治具本体为板状,所述治具本体上设有内陷于所述治具本体上表面的支撑限位区域,所述支撑限位区域边缘周向设有...
  • 本发明提供一种晶圆级封装方法以及封装结构,所述晶圆级封装方法包括:提供第一晶圆,第一晶圆中形成有多个第一芯片,第一芯片的表面具有第一焊垫,第一晶圆的表面形成有露出第一焊垫的第一介质层;提供多个第二芯片,第二芯片的表面具有第二焊垫,第二芯...
  • 本发明公开了一种晶圆级系统封装方法,包括:提供器件晶圆,器件晶圆具有第一芯片,第一芯片具有暴露出所述器件晶圆上表面且相间隔的第一互连电极和外接电极;通过电镀工艺在所述外接电极上形成外接导电凸块,在所述第一互连电极上形成互连导电凸块;形成...
  • 本发明提供了一种晶圆级系统封装结构及封装方法,其中,封装方法包括:提供第一器件晶圆,所述第一器件晶圆内部形成有多个第一器件模块,所述第一器件晶圆具有正面和背面,所述正面暴露出电连接所述第一器件模块并凹陷于所述正面的多个第一焊垫;提供第二...
  • 本发明提供一种晶圆级系统封装方法及封装结构,晶圆级系统封装方法包括:提供器件晶圆,所述器件晶圆表面具有多个裸露的第一焊垫,所述器件晶圆形成有第一空腔,所述第一焊垫位于所述第一空腔外周;提供第一芯片,所述第一芯片具有多个裸露的第二焊垫;将...
  • 本发明公开了一种晶圆级结构及其封装方法,其中封装方法包括:提供器件晶圆,其包括多个第一芯片,第一芯片具有暴露出所述器件晶圆上表面的第一焊垫,第一芯片的上表面具有裸露的第一焊垫;通过电镀在第一焊垫上形成导电凸块:形成导电凸块后,提供至少一...
  • 本发明涉及一种晶圆级系统封装结构及方法,包括:提供第一器件晶圆,其表面具有多个裸露的第一焊垫,其表面形成有第一开口,第一焊垫位于第一开口外周;提供第二器件晶圆,第二器件晶圆形成有第一芯片,第一芯片具有多个裸露的第二焊垫;第二器件晶圆通过...
  • 本发明提供一种晶圆级系统封装方法以及封装结构,晶圆级系统封装方法包括:形成器件晶圆,器件晶圆的第一表面具有多个裸露的第一焊垫,器件晶圆表面形成有第一开口,第一焊垫位于第一开口外周;提供第一芯片,第一芯片具有多个裸露的第二焊垫;在器件晶圆...
  • 一种晶圆级封装方法,方法包括:提供形成有多个第一芯片的第一器件晶圆,所述第一芯片包括相对的第一表面和第二表面,所述第一表面具有裸露的且相间隔的第一焊垫和外接电极;形成覆盖所述外接电极的遮挡层;提供多个第二芯片,所述第二芯片的表面具有裸露...
  • 本发明公开了一种晶圆级系统封装方法,包括:提供器件晶圆,其包括多个第一芯片,第一芯片具有暴露出器件晶圆上表面且相间隔的第一互连电极和外接电极;通过电镀工艺在外接电极上形成外接导电凸块,在第一互连电极上形成互连导电凸块;提供多个第二芯片和...
  • 本发明公开了一种晶圆级系统封装方法,包括:提供器件晶圆,所述器件晶圆包括多个第一芯片,所述第一芯片具有暴露出所述器件晶圆上表面的第一焊垫;通过电镀工艺在所述第一焊垫上形成导电凸块;形成所述导电凸块后,提供至少一个第二芯片,所述第二芯片的...
  • 本发明提供了一种晶圆级封装结构及其制造方法,其中,制造方法包括:提供具有上焊垫的电转接板,所述电转接板包括相对的上表面和下表面,所述上表面至少暴露所述上焊垫的部分表面;提供至少一个芯片,所述芯片与所述电转接板相对的表面上具有第一焊垫;粘...