【技术实现步骤摘要】
谐振器及其形成方法、滤波器、电子设备
[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种谐振器及其形成方法、滤波器、电子设备。
技术介绍
[0002]自模拟射频通讯技术在上世纪90代初被开发以来，射频前端模块已经逐渐成为通讯设备的核心组件。在所有射频前端模块中，滤波器已成为增长势头最猛、发展前景最大的部件。随着无线通讯技术的高速发展，5G通讯协议日渐成熟，市场对射频滤波器的各方面性能也提出了更为严格的标准。滤波器的性能由组成滤波器的谐振器单元决定。在现有的滤波器中，薄膜体声波谐振器(FBAR)因其体积小、插入损耗低、带外抑制大、品质因数高、工作频率高、功率容量大以及抗静电冲击能力良好等特点，成为最适合5G应用的滤波器之一。
[0003]通常，薄膜体声波谐振器包括两个薄膜电极，并且两个薄膜电极之间设有压电薄膜层，所述薄膜电极和压电薄膜层作为压电叠层结构，其工作原理为利用压电薄膜层在交变电场下产生振动，该振动激励出沿压电薄膜层厚度方向传播的体声波，此声波传至上下电极与空气交界面被反射回来，进而在薄膜内部来回反射，形成震荡...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种谐振器的形成方法，其特征在于，包括：提供压电叠层结构，所述压电叠层结构包括工作区和环绕所述工作区的外围区，所述压电叠层结构包括压电层、位于所述压电层第一面的第一电极以及位于所述压电层第二面的第二电极，所述第一面和第二面为所述压电层相背的两面；从所述第二电极一侧，形成覆盖所述外围区且露出所述工作区的第二电极的支撑层；提供第一衬底；在所述支撑层背离所述压电叠层结构的端面键合所述第一衬底，所述支撑层、第二电极和第一衬底围成第一空腔；从所述第一电极一侧，形成贯穿所述外围区的压电叠层结构且位于所述支撑层上的第一金属键合层；提供第二衬底；在所述第二衬底上形成第二金属键合层，所述第二金属键合层具有露出所述第二衬底中心区域的第一开口；将所述第一开口对准所述工作区，使所述第二金属键合层与所述第一金属键合层相键合，所述第二衬底、支撑层、第一电极第一金属键合层以及第二金属键合层围成第二空腔。2.如权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述谐振器的形成方法包括：形成所述支撑层后，形成所述第一金属键合层前，刻蚀所述外围区中部分区域的所述压电叠层结构，形成环绕所述工作区的外围槽；形成贯穿所述外围区的压电叠层结构且位于所述支撑层上的第一金属键合层的步骤包括：形成覆盖所述外围槽内部的所述压电叠层结构以及所述压电叠层结构侧部的部分所述外围槽的掩膜层；在所述掩膜层露出的所述外围槽中形成所述第一金属键合层；所述谐振器的形成方法还包括：形成所述第一金属键合层后，去除所述掩膜层。3.如权利要求2所述的谐振器的形成方法，其特征在于，在所述掩膜层露出的所述外围槽中形成所述第一金属键合层的步骤包括：在所述支撑层上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第二金属层，所述第一金属层和第二金属层作为所述第一金属键合层。4.如权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，在所述第二衬底上形成第二金属键合层的步骤包括：在所述第二衬底上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第二金属层，所述第一金属层和第二金属层作为所述第二金属键合层。5.如权利要求3或4所述的谐振器的形成方法，其特征在于，采用电镀工艺形成所述第一金属层；采用电镀工艺在所述第一金属层上形成所述第二金属层。6.如权利要求3或4所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述第一金属层的材料包括铜、金、铝和钛中的一种或多种；所述第二金属层的材料包括锡。7.如权利要求3或4所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述第一金属键合层和第
二金属键合层的厚度均为0.5um至0.15um。8.如权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，采用金属键合工艺使所述第一金属键合层和第二金属键合层键合。9.如权利要求1所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述第二金属键合层与所述第一金属键合层相键合的步骤的工艺参数包括：键合温度为240℃至300℃，键合压力为10KN至50KN，环境压强为小于10mTorr。10.如权利要求2所述的谐振器的形成方法，其特征在于，所述谐振器的形成方法包括：形成所述支撑层后，形成所述第一金属键合层前，在所述外围区中，从所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：李伟，罗海龙，黄河，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：
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