一种半导体外延结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种半导体外延结构及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：在衬底上形成牺牲氧化层；以牺牲氧化层为阻挡层，对衬底进行离子注入，获得第一半导体结构；将多个第一半导体结构分为第一组单元和第二组单元，第一组单元与所述第二组单元间隔穿插设置，且相邻所述第一组单元的第一半导体结构与所述第二组单元的第一半导体结构的所述外延所在侧相对设置；采用湿法刻蚀同时对第一组单元和第二组单元的所述第一半导体结构进行刻蚀，去除部分牺牲氧化层；在剩余牺牲氧化层表面形成栅极氧化层；在栅极氧化层上形成栅极层，获得半导体外延结构。本发明专利技术解决了由于栅极氧化层厚度不均匀而导致的产品良率降低的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体外延结构及其制备方法
本专利技术属于半导体
，特别是涉及一种半导体外延结构及其制备方法。
技术介绍
随着半导体集成电路的迅速发展及关键尺寸按比例缩小，其制造工艺也变得越发复杂。目前先进的集成电路制造工艺一般都包含数百个工艺步骤，只要其中的一个步骤出现问题，就会引起整个半导体集成电路芯片的缺陷发生，严重的还可能导致整个芯片的失效。在现有的半导体外延制备过程中，对衬底的离子注入，使得原有的阻挡层表面受到破坏，虽然存在通过湿法刻蚀将离子注入阻挡层的破坏层去除这一步骤，但往往也无法达到彻底清除阻挡层的效果，又由于湿法刻蚀过程中对阻挡层的刻蚀深度不够，使得在此基础上生长的栅极氧化层厚度存在不均匀，导致最终获得的半导体外延结构缺陷率高，特别是使得半导体结构边缘处漏电严重。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体外延结构及其制备方法，解决了由于栅极氧化层厚度不均匀而导致的产品良率降低的问题。为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：本专利技术提供一种半导体外延结构的制备方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体外延结构的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：/n提供衬底；/n在所述衬底上形成牺牲氧化层；/n以所述牺牲氧化层为阻挡层，对所述衬底进行离子注入，获得第一半导体结构；/n将多个所述第一半导体结构分为第一组单元和第二组单元，所述第一组单元的第一半导体结构与所述第二组单元的第一半导体结构间隔穿插设置，且相邻所述第一组单元的第一半导体结构与所述第二组单元的第一半导体结构的所述外延所在侧相对设置；/n采用湿法刻蚀同时对所述第一组单元的第一半导体结构和所述第二组单元的第一半导体结构进行刻蚀，去除部分所述牺牲氧化层；/n在剩余所述牺牲氧化层表面形成栅极氧化层；/n在所述栅极氧化层上形成栅极...

【技术特征摘要】
1.一种半导体外延结构的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：
提供衬底；
在所述衬底上形成牺牲氧化层；
以所述牺牲氧化层为阻挡层，对所述衬底进行离子注入，获得第一半导体结构；
将多个所述第一半导体结构分为第一组单元和第二组单元，所述第一组单元的第一半导体结构与所述第二组单元的第一半导体结构间隔穿插设置，且相邻所述第一组单元的第一半导体结构与所述第二组单元的第一半导体结构的所述外延所在侧相对设置；
采用湿法刻蚀同时对所述第一组单元的第一半导体结构和所述第二组单元的第一半导体结构进行刻蚀，去除部分所述牺牲氧化层；
在剩余所述牺牲氧化层表面形成栅极氧化层；
在所述栅极氧化层上形成栅极层，获得所述半导体外延结构。


2.根据权利要求1所述一种半导体外延结构的制备方法，其特征在于，剩余所述牺牲氧化层的厚度小于等于4.5Å。


3.根据权利要求1所述一种半导体外延结构的制备方法，其特征在于，所述第一组单元的第一半导体结构与所述第二组单元的第一半导体结构数量相等。


4.根据权利要求1所述一种半导体外延结构的制备方法，其特征在于，所述栅极氧化层的厚度大于剩余所述牺牲氧化层的厚度。


5.根据权利要求1所述一种半导体外延结构的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：林慧妮，林群证，龚柏铧，
申请(专利权)人：晶芯成北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11