本发明提出一种晶圆检测方法及检测装置，包括：形成晶圆测试图形。根据晶圆测试图形的设计规则，形成测试光罩。根据测试光罩形成测试模板，以模拟待测晶圆图形。根据测试模板，以筛选待测晶圆图形中的有效图形。选择有效图形中的有效数据，以建立光学临近...

本发明提出一种研磨设备及其流体流量控制方法，其特征在于，至少包括：研磨平台；研磨垫，其位于所述研磨平台上；吸附装置，包括至少一吸嘴，所述吸附装置位于所述研磨垫的一侧，所述吸嘴位于所述吸附装置上；粗磨盘，其位于所述吸附装置的一侧，且位于所...

本发明公开了一种半导体器件的保护装置及保护方法，所述半导体器件的保护装置包括：第一阻挡环，环绕所述半导体器件，且所述半导体器件位于所述第一阻挡环的中心位置；第二阻挡环，同心环绕所述第一阻挡环，且所述第一阻挡环和所述第二阻挡环之间通过介质...

本发明提出一种半导体结构及其制造方法，包括：提供一衬底。形成栅极区于衬底上，且栅极区包括第一栅极区和第二栅极区。移除第一栅极区内的栅极结构。形成金属栅极于第一栅极区内。刻蚀第二栅极区内的部分栅极结构。形成阻挡层于第二栅极区内。以及形成多...

本发明公开了一种阶梯沟槽横向绝缘栅双极型晶体管结构及制造方法，且所述横向绝缘栅双极型晶体管至少包括：衬底；漂移区，设置在所述衬底上；第一阱区，与所述漂移区并排设置；阶梯浅沟槽隔离结构，设置所述漂移区内，且所述阶梯浅沟槽隔离结构至少包括第...

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，且所述半导体器件至少包括：衬底，包括并排设置的多个类型不同的阱区，且每个所述阱区上包括一个或多个有源区；多个半导体元件，设置在所述有源区上，且所述多个半导体元件包括驱动晶体管和传输晶体管，其中，所...

本发明提供一种自动化质量管控系统、方法及计算机可读存储介质，通过规格制定模块、规格调整模块、规格改善模块及异常反馈模块，实现各制程参数规格的制定、调整及改善，最终形成的参数规格对各个制程进行准确管控，准确有效地对各制程进行分工安排。进一...

本发明公开一种异物检测方法、半导体晶圆检测方法及系统，涉及半导体检测技术领域。本发明探针台的卡盘的异物检测方法，其包括：提供参照卡盘，参照卡盘的表面洁净；扫描参照卡盘，获取洁净参照图像；使用若干个过滤颜色不同的镜头，分别扫描目标卡盘，用...

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法通过在栅极结构上方形成绝缘结构层；以及形成栅极接触孔，并形成源极接触、漏极接触和栅极接触，源极接触孔的孔底暴露出源极和绝缘结构层，漏极接触孔的孔底暴露出漏极和所述绝缘结构层，通过...

本发明提供一种图像传感器及其制备方法。其中，图像传感器包括：衬底以及依次沉积在衬底上的保护层、第三氧化层和阻挡层。第三氧化层，由覆盖于第一氧化层表面的第二氧化层回刻蚀形成，以使得第三氧化层的顶表面呈曲面，进而形成在第三氧化层上的阻挡层也...

本发明提供一种用于气体分流模组的拆除治具及方法，利用气缸自身的升降功能，在上升时将所述拆除治具放置在支撑柱和圆盘的分支角之间，在下降过程中，由于所述拆除治具的存在，使得所述圆盘无法下降到原来的位置，因此所述气体分流板将会在气缸的下降命令...

本发明提供了一种晶圆背封结构的制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底为重掺杂衬底，所述衬底具有相对设置的第一表面和第二表面，所述衬底的第一表面上形成有外延层；在所述外延层的表面、所述外延层和所述衬底的侧壁上形成保护层；在所述衬底的第二表面...

本发明提供一种光阻膜厚控制方法及系统，所述光阻膜厚控制方法包括：通过气压监测装置检测大气压数据信息；设置目标大气压数据信息；根据获取的大气压数据信息，并结合所述目标大气压数据信息，获取大气压数据变化率；根据大气压数据信息与所述半导体设备...

本发明公开一种晶圆质量预测方法及系统，涉及半导体加工技术领域。本发明包括：获取传感采集数据以及对应晶圆质量等级，其中，传感采集数据由传感器采集，传感器设置于加工站点；将传感采集数据，作为预测模型的输入层，将对应晶圆质量等级，作为预测模型...

本发明提出一种半导体结构及其制造方法，包括：衬底，第一深阱层设置在所述衬底内部。第二深阱层设置在所述第一深阱层上。过渡区设置在所述第二深阱层上。沟槽隔离区设置在所述衬底顶部。栅极结构，设置在所述衬底的上表面，且所述栅极结构覆盖部分所述过...

本发明提供了一种半导体结构及其测试结构，应用于半导体技术领域。在本发明提供了的一种测试结构中，其通过提出利用类似于脊柱叠层形状的设计的方式，在器件区域之间的切割道内的单位面积上至少堆叠放置两个测试结构，从而实现通过在切割道单位面积上增加...

本发明提供了一种MOM电容器及集成电路装置，通过在MOM电容器中堆叠的多层电容单元的整体上方和/或下方设置呈梳状结构的虚拟电极，以降低MOM电容器与其周围的信号线路之间的寄生电容，并抑制噪声，进而提高器件性能，同时还能避免铜制程等中的最...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构的制造方法包括：在所述衬底上蚀刻多个沟槽，以将所述衬底区分为多个有源结构；在所述有源结构上由下而上形成第一掺杂区、栅极区和第二掺杂区；并在所述沟槽内沉积隔离结构；在隔离结构内依次沉积...

本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其形成方法、CMOS图像传感器；形成方法包括：提供衬底；刻蚀部分厚度的衬底形成沟槽；从沟槽处向衬底中实施氧离子注入，氧离子与沟槽下方及周侧的衬底发生反应生成隔离氧化层；形成隔离层，隔离层填充沟槽。本发明先形...

本发明提供一种半导体器件及制造方法。所述半导体器件包括半导体衬底以及形成于所述半导体衬底表面区域的MOS晶体管，所述MOS晶体管具有在所述半导体衬底表面叠加形成的栅极绝缘层和栅极，并且，所述半导体衬底的表面具有未被所述栅极绝缘层覆盖且连...