本发明专利技术提出一种晶圆检测方法及检测装置，包括：形成晶圆测试图形。根据晶圆测试图形的设计规则，形成测试光罩。根据测试光罩形成测试模板，以模拟待测晶圆图形。根据测试模板，以筛选待测晶圆图形中的有效图形。选择有效图形中的有效数据，以建立光学临近效应校正模型。以及根据光学临近效应校正模型，对晶圆进行图形检测。本发明专利技术提出的晶圆检测方法及检测装置，提高了检测效率。提高了检测效率。提高了检测效率。
【技术实现步骤摘要】
一种晶圆检测方法及检测装置
[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种晶圆检测方法及检测装置。
技术介绍
[0002]在半导体器件的生产过程中，为了保证设计的图形边缘得到完整的刻蚀，一般通过移动掩模版上图形的边缘或者添加额外的多边形来进行光学修正。然而，目前的修正方法有数据检测时间过长的问题。因此，如何缩短数据检测时间，并提高检测效率已经成为亟待解决的问题。
技术实现思路
[0003]鉴于上述缺陷，本申请提出一种晶圆检测方法及检测装置，以提高图形建模和晶圆检测的效率和准确度，减少了时间和人力成本。
[0004]为实现上述目的及其他目的，本申请提出一种晶圆检测方法，包括：形成晶圆测试图形；根据所述晶圆测试图形的设计规则，形成测试光罩；根据所述测试光罩形成测试模板，以模拟待测晶圆图形；根据所述测试模板，以筛选所述待测晶圆图形中的有效图形；选择所述有效图形中的有效数据，以建立光学临近效应校正模型；以及根据所述光学临近效应校正模型，对晶圆进行图形检测。
[0005]在本申请的一个实施例中，所述晶圆测试图形设置在所述测试模板上。
[0006]在本申请的一个实施例中，所述设计规则包括所述晶圆测试图形的尺寸和所述晶圆测试图形之间的间距。
[0007]在本申请的一个实施例中，所述根据所述测试模板，以筛选所述待测晶圆图形中的有效图形，包括：使用所述测试模板模拟所述待测晶圆图形，并通过光栅进行曝光，以标记出产生散射条的所述待测晶圆图形。
[0008]在本申请的一个实施例中，所述选择所述有效图形中的有效数据的方法包括：过滤出晶圆上的所述有效图形。
[0009]在本申请的一个实施例中，所述方法包括：当曝光后的散射条的光强度曲线和曝光后主区的光强度曲线在临界线的同一侧时，将所述待测晶圆图形标记为所述有效图形。
[0010]在本申请的一个实施例中，所述方法还包括：当曝光后的散射条的光强度曲线和曝光后主区的光强度曲线在临界线的两侧时，将所述待测晶圆图形过滤。
[0011]在本申请的一个实施例中，所述散射条包括第一散射区域和第二散射区域，且所述第一散射区域和所述第二散射区域平行。
[0012]在本申请的一个实施例中，所述图形检测包括：对待测晶圆检测区进行光标定位，以确定待检测区，并利用所述光学临近效应校正模型对所述待测晶圆检测区内的图形进行
测量。
[0013]基于同样的构思，本申请还提出一种晶圆检测装置，包括：显示模块；以及检测模块，连接所述显示模块，且所述检测模块包括：测试模板；光学临近效应校正模型；以及晶圆测试图形，且所述晶圆测试图形形成于所述测试模板上。
[0014]综上所述，本申请提出一种晶圆检测方法及检测装置，对晶圆的图形数据检测进行预处理。提高了所收集数据的有效性，并缩短了晶圆数据收集的时间。同时进一步提高了晶圆检测的图形建模效率，也节约了时间和人力成本。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为本申请在一实施例中的晶圆检测方法示意图。
[0017]图2为本申请在一实施例中的测试图形集合示意图。
[0018]图3为本申请在一实施例中的晶圆测试图形示意图。
[0019]图4为本申请在一实施例中的曝光后光强度曲线示意图一。
[0020]图5为本申请在一实施例中的散射条示意图一。
[0021]图6为本申请在一实施例中的曝光后光强度曲线示意图二。
[0022]图7为本申请在一实施例中的散射条示意图二。
[0023]图8为本申请在一实施例中的预过滤效果示意图。
[0024]图9为本申请在一实施例中的晶圆检测装置组成示意图。
[0025]标号说明：10
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测试图形集合；101
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图形校准集合；102
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图形验证集合；20
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晶圆测试图形；201
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第一测试图形；202
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第二测试图形；203
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第三测试图形；204
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第四测试图形；205
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第五测试图形；206
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第六测试图形；207
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第七测试图形；30
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散射条；301
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第一散射区域；
302
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第二散射区域；100
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晶圆检测装置；200
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显示模块；300
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检测模块；310
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测试模板。
具体实施方式
[0026]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0027]需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0028]本实施例提出一种晶圆检测方法及检测装置，提高了晶圆图形建模和晶圆检测的效率和准确度，并减少了时间和人力成本。
[0029]请参阅图1，图1为本申请在一实施例中的晶圆检测方法示意图。本申请提出一种晶圆检测方法，该晶圆检测方法可以包括例如以下步骤：S1、形成晶圆测试图形；S2、根据所述晶圆测试图形的设计规则，形成测试光罩；S3、根据所述测试光罩形成测试模板，以模拟待测晶圆图形；S4、根据所述测试模板，以筛选所述待测晶圆图形中的有效图形；S5、选择所述有效图形中的有效数据，以建立光学临近效应校正模型；以及S6、根据所述光学临近效应校正模型，对晶圆进行图形检测。
[0030]请参阅图2以及图1，图2为本申请在一实施例中的测试图形集合示意图。在本申请的一实施例中，可以通过步骤S1形成晶圆测试图形。根据待测晶圆上目标图形的设计规则要求生成晶圆测试图形20，并对设计规则一致性进行检查。在本实施例中，可以使用例如扫描线算法将平面的二维几何问题转换为两个一维问题，以便于检查设计规则的一致性。在本申请的一实施例中，测试图形集合10可以包括图形校准集合101和图形验证集合102。图形校准集合101可以用于调整本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆检测方法，其特征在于，包括：形成晶圆测试图形；根据所述晶圆测试图形的设计规则，形成测试光罩；根据所述测试光罩形成测试模板，以模拟待测晶圆图形；根据所述测试模板，以筛选所述待测晶圆图形中的有效图形；选择所述有效图形中的有效数据，以建立光学临近效应校正模型；以及根据所述光学临近效应校正模型，对晶圆进行图形检测。2.根据权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于：所述晶圆测试图形设置在所述测试模板上。3.根据权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于：所述设计规则包括所述晶圆测试图形的尺寸和所述晶圆测试图形之间的间距。4.根据权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于：所述根据所述测试模板，以筛选所述待测晶圆图形中的有效图形，包括：使用所述测试模板模拟所述待测晶圆图形，并通过光栅进行曝光，以标记出产生散射条的所述待测晶圆图形。5.根据权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于：所述选择所述有效图形中的有效数据的方法包括：过滤出晶圆上的所述有效图形。6...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘秀梅，罗招龙，赵广，洪银，
申请(专利权)人：晶芯成北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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