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本发明公开一种半导体外延结构及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：在衬底上形成牺牲氧化层；以牺牲氧化层为阻挡层，对衬底进行离子注入，获得第一半导体结构；将多个第一半导体结构分为第一组单元和第二组单元，第一组单元与所述第二组单元间隔穿插设置...
该专利属于晶芯成(北京)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶芯成(北京)科技有限公司授权不得商用。

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