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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成多晶硅膜；采用刻蚀工艺去除部分厚度多晶硅膜，形成多晶硅层，刻蚀液为氢氟酸与臭氧溶液的混合液，氢氟酸与臭氧溶液的体积比例为1:4～4:1。本发明有助于提高刻蚀精度，并能够改善...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。