等离子体处理装置和处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供等离子体处理装置和处理方法。等离子体处理装置包括：载置基片的第一电极；用于生成等离子体的等离子体生成源；对第一电极供给偏置功率的偏置电源；对等离子体生成源供给频率比偏置功率高的生成源功率的生成源电源；和控制偏置电源和生成源电源的控制部，生成源功率具有第一状态和第二状态，控制部进行控制，使得与跟偏置功率的高频的周期同步的信号、或者基准电气状态的一个周期内的相位同步地交替施加第一状态和第二状态，其中基准电气状态表示在偏置功率的供电系统中测量出的电压、电流或者电磁场中任一者，并且，控制部在至少基准电气状态的一个周期内的相位的负侧峰值时将生成源功率控制为关断。本发明专利技术能够控制离子能分布。制离子能分布。制离子能分布。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和处理方法


[0001]本专利技术涉及等离子体处理装置和处理方法。

技术介绍

[0002]已知有一种技术，在蚀刻时，通过使施加的离子吸引用的高频功 率与等离子体生成用的高频功率的通断(ON
·
OFF：接通和关断)同步， 以使离子到达多晶硅层上，使多晶硅层的蚀刻速率均匀(例如，参照 专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开平10-64915号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术提供一种能够控制离子能分布的等离子体处理装置和处理 方法。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]依照本专利技术的一个方式，提供一种等离子体处理装置，其包括： 载置基片的第一电极；用于生成等离子体的等离子体生成源；对上述 第一电极供给偏置功率的偏置电源；对上述等离子体生成源供给频率 比上述偏置功率高的生成源功率的生成源电源；和控制上述偏置电源 和上述生成源电源的控制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其包括：载置基片的第一电极；用于生成等离子体的等离子体生成源；对所述第一电极供给偏置功率的偏置电源；对所述等离子体生成源供给频率比所述偏置功率高的生成源功率的生成源电源；和控制所述偏置电源和所述生成源电源的控制部，所述等离子体处理装置的特征在于：所述生成源功率具有第一状态和第二状态，所述控制部进行控制，使得与跟所述偏置功率的高频的周期同步的信号、或者基准电气状态的一个周期内的相位同步地交替施加所述第一状态和所述第二状态，其中所述基准电气状态表示在所述偏置功率的供电系统中测量出的电压、电流或者电磁场中任一者，并且，所述控制部在至少所述基准电气状态的一个周期内的相位的负侧峰值时将生成源功率控制为关断。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述控制部使将所述生成源功率控制为关断的时间在所述生成源功率接通时生成的离子密度在规定以上的时间以下。3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述控制部在所述基准电气状态的一个周期内的相位从负变正的时刻将所述生成源功率控制为接通。4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述控制部使所述生成源功率的接通和关断的周期为所述偏...

【专利技术属性】
技术研发人员：久保田绅治，青田雄嗣，舆水地盐，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：