【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
[0001]本专利技术涉及一种等离子体处理装置。
技术介绍
[0002]在等离子体处理装置中，存在在设置于顶壁的电磁波的辐射口的附近电磁波能量集中，电子温度变高的倾向。此时，若电磁波的辐射口的附近设有气体释放口，则气体可能过度分解。因此，专利文献1提出了一种技术，从喷淋板导入气体，并且由从喷淋板的下表面向铅垂下方伸出的气体喷嘴的喷射口将气体导入到比微波的辐射口靠下方的位置。但是，微波传递到气体喷嘴，在气体喷嘴的喷射口发生异常放电，可能对基片处理造成影响。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014-183297号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术提供能够在气体喷嘴防止异常放电的等离子体处理装置。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]依照本专利技术的一个方式，提供一种等离子体处理装置，其包括：处理容器；以及多个气体喷嘴，其从构成上述处理容器...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：处理容器；以及多个气体喷嘴，其从构成所述处理容器的顶壁和/或侧壁伸出，具有对所述处理容器内供给气体的气体供给孔，多个所述气体喷嘴具有扩径部，该扩径部在多个所述气体喷嘴的气体供给孔的前端从所述气体供给孔的细孔扩大，在处理空间开口。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述扩径部的内壁侧面与所述气体喷嘴的前端面的角度θ为60
°
≤θ≤120
°
。3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：多个所述气体喷嘴从所述顶壁伸出，所述等离子体处理装置还包括配置于所述处理容器的上部的等离子体生成部，该等离子体生成部能够将电磁波导入所述处理容器内，生成等离子体。4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：将微波的表面波的波长设为λ
SW
时，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：池田太郎，江原宽贵，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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