载置台、基片处理装置、边缘环和边缘环的输送方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种载置被实施规定处理的基片的载置台，其包括：静电吸附上述基片的静电吸盘；配置在上述基片的周围的可输送的第一边缘环；固定在上述第一边缘环的周围的第二边缘环；使上述第一边缘环升降的升降销；配置在上述静电吸盘的与上述第一边缘环相对的位置的、该第一边缘环的静电吸附用的第一电极；和配置在上述静电吸盘的与上述第二边缘环相对的位置的、该第二边缘环的静电吸附用的第二电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】载置台、基片处理装置、边缘环和边缘环的输送方法
本专利技术涉及载置台、基片处理装置、边缘环和边缘环的输送方法。
技术介绍
例如，专利文献1的载置台包括静电吸盘和边缘环。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-244274号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供一种能够输送边缘环的技术。用于解决技术问题的技术方案依照本专利技术的一个方式，提供一种载置被实施规定处理的基片的载置台，其包括：静电吸附上述基片的静电吸盘；配置在上述基片的周围的可输送的第一边缘环；固定在上述第一边缘环的周围的第二边缘环；使上述第一边缘环升降的升降销；配置在上述静电吸盘的与上述第一边缘环相对的位置的、该第一边缘环的静电吸附用的第一电极；和配置在上述静电吸盘的与上述第二边缘环相对的位置的、该第二边缘环的静电吸附用的第二电极。专利技术效果依照一个方面，能够输送边缘环。附图说明图1是表示一实施方式涉及的基片处理装置的结构的纵截面图。图2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种载置被实施规定处理的基片的载置台，其特征在于，包括：/n静电吸附所述基片的静电吸盘；/n配置在所述基片的周围的可输送的第一边缘环；/n固定在所述第一边缘环的周围的第二边缘环；/n使所述第一边缘环升降的升降销；/n配置在所述静电吸盘的与所述第一边缘环相对的位置的、该第一边缘环的静电吸附用的第一电极；和/n配置在所述静电吸盘的与所述第二边缘环相对的位置的、该第二边缘环的静电吸附用的第二电极。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180906 JP 2018-1672291.一种载置被实施规定处理的基片的载置台，其特征在于，包括：
静电吸附所述基片的静电吸盘；
配置在所述基片的周围的可输送的第一边缘环；
固定在所述第一边缘环的周围的第二边缘环；
使所述第一边缘环升降的升降销；
配置在所述静电吸盘的与所述第一边缘环相对的位置的、该第一边缘环的静电吸附用的第一电极；和
配置在所述静电吸盘的与所述第二边缘环相对的位置的、该第二边缘环的静电吸附用的第二电极。


2.如权利要求1所述的载置台，其特征在于：
所述第一边缘环的直径小于所述基片的输送口的大小，其中所述基片的输送口形成于在内部具有所述载置台的处理容器。


3.如权利要求1或2所述的载置台，其特征在于，包括：
对所述第一边缘环与所述静电吸盘的载置面之间供给热交换介质的第一贯通孔；和
对所述第二边缘环与所述静电吸盘的载置面之间供给热交换介质的第二贯通孔。


4.如权利要求3所述的载置台，其特征在于：
所述升降销设置在所述第一贯通孔的内部。


5.如权利要求1至4中任一项所述的载置台，其特征在于：
所述第一电极和所述第二电极分别被分割为多个部分电极，
对所述第一电极和所述第二电极各自的多个部分电极施加不同的电压。


6.一种对载置于处理容器内的载置台的基片实施规定处理的基片处理装置，其特征在于，包括：
载置所述基片的载置台；
静电吸附所述基片的静电吸盘；
配置在所述基片的周围的可输送的第一边缘环；
固定在所述第一边缘环的周围的第二边缘环；
使所述第一边缘环升降的升降销；
配置在所述静电吸盘的与所述第一边缘环相对的位置的、该第一边缘环的静电吸附用的第一电极；和
配置在所述静电吸盘的与所述第二边缘环相对的位置的、该第二边缘环的静电吸附用的第二电极。


7.一种配置在基片处理装置的处理容器内的载置台的边缘环，其特征在于，包括：
第一边缘环，其具有比形成于所述处理容器的输送基片的输送口的大小小的直径，能够从所述输送口被输送；和
第二边缘环，其具有比所述输送口的大小大的直径，固定在所述载置台。
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木康晴，内田阳平，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP