成膜装置和成膜方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及成膜装置和成膜方法。提供一种能够以较高的精度调整膜厚的面内分布的技术。本公开的一方式的成膜装置包括：处理室；旋转台，其设于所述处理室内，具有能够在上表面沿着周向载置基板的基板载置区域；原料气体供给部，其设于所述旋转台的上方，沿着所述旋转台的半径方向延伸；多个辅助气体供给部，其相对于所述原料气体供给部设于所述旋转台的旋转方向上的下游侧处的所述旋转台的上方，沿着所述旋转台的所述半径方向具有规定间隔地设置；以及气体排气部，其相对于所述辅助气体供给部设于所述旋转台的旋转方向上的下游侧处的所述旋转台的上方，沿着所述旋转台的所述半径方向延伸。

【技术实现步骤摘要】
成膜装置和成膜方法
本公开涉及成膜装置和成膜方法。
技术介绍
公知有一种旋转台式的ALD装置，该ALD装置通过使在上表面沿着周向具有载置基板的基板载置区域的旋转台旋转来穿过多个处理区域，从而进行成膜(例如，参照专利文献1)。在该ALD装置中，在多个处理区域中的至少一个处理区域设置由中空体构成的排气构件，该排气构件设为覆盖设于比旋转台的周缘靠外侧位置的排气口，并自基板载置区域的外缘延伸到内缘。专利文献1：日本特开2013-42008号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供一种能够以较高的精度调整膜厚的面内分布的技术。用于解决问题的方案本公开的一技术方案的成膜装置包括：处理室；旋转台，其设于所述处理室内，具有能够在上表面沿着周向载置基板的基板载置区域；原料气体供给部，其设于所述旋转台的上方，沿着所述旋转台的半径方向延伸；多个辅助气体供给部，其相对于所述原料气体供给部设于所述旋转台的旋转方向上的下游侧处的所述旋转台的上方，沿着所述旋转台的所述半径方向具有规定间隔地设置；以及气体排气部，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成膜装置，其中，/n该成膜装置包括：/n处理室；/n旋转台，其设于所述处理室内，具有能够在上表面沿着周向载置基板的基板载置区域；/n原料气体供给部，其设于所述旋转台的上方，沿着所述旋转台的半径方向延伸；/n多个辅助气体供给部，其相对于所述原料气体供给部设于所述旋转台的旋转方向上的下游侧处的所述旋转台的上方，沿着所述旋转台的所述半径方向具有规定间隔地设置；以及/n气体排气部，其相对于所述辅助气体供给部设于所述旋转台的旋转方向上的下游侧处的所述旋转台的上方，沿着所述旋转台的所述半径方向延伸。/n

【技术特征摘要】
20190924 JP 2019-1734471.一种成膜装置，其中，
该成膜装置包括：
处理室；
旋转台，其设于所述处理室内，具有能够在上表面沿着周向载置基板的基板载置区域；
原料气体供给部，其设于所述旋转台的上方，沿着所述旋转台的半径方向延伸；
多个辅助气体供给部，其相对于所述原料气体供给部设于所述旋转台的旋转方向上的下游侧处的所述旋转台的上方，沿着所述旋转台的所述半径方向具有规定间隔地设置；以及
气体排气部，其相对于所述辅助气体供给部设于所述旋转台的旋转方向上的下游侧处的所述旋转台的上方，沿着所述旋转台的所述半径方向延伸。


2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，
所述原料气体供给部、所述多个辅助气体供给部以及所述气体排气部构成为喷头。


3.根据权利要求2所述的成膜装置，其中，
所述喷头具有呈扇形覆盖所述旋转台的所述周向上的局部的形状。


4.根据权利要求2或3所述的成膜装置，其中，
所述气体排气部具有在所述喷头的底面沿着所述旋转台的所述半径方向设置的一个或者多个气体排气孔。


5.根据权利要求4所述的成膜装置，其中，
所述一个或者多个气体排气孔在所述喷头的所述底面内设于所述旋转台的旋转方向上的下游侧的位置。


6.根据权利要求2～5中任一项所述的成膜装置，其中，
该成膜装置还包括排气口，该排气口设于比所述旋转台的周缘靠外侧的位置。


7.根据权利要求6所述的成膜装置，其中，
所述气体排气部和所述排气口能够分别独立地控制排气压力。


8.根据权利要求6所述的成膜装置，其中，
所述气体排气部和所述排气口能够被共同地控制排气压力。
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木优，城俊彦，加藤寿，高桥宏辅，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP