基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够向开口的深部供给离子。基板处理方法包括以下工序：从位于基板处理装置的腔室主体内的电子束发生器向该基板处理装置的腔室主体内的内部空间供给具有第一能量的电子，以使电子附着于被供给到所述内部空间的处理气体中的分子来生成负离子；以及向支承台的电极施加正极性的偏压，以将所述负离子向基板吸引，所述支承台在所述内部空间中支承被载置在该支承台上的所述基板。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法和基板处理装置本申请是申请日为2018年11月7日、申请号为201811317768.6、专利技术名称为“基板处理方法和基板处理装置”的中国专利技术专利申请的分案申请。
本公开的实施方式涉及一种基板处理方法和基板处理装置。
技术介绍
在电子器件的制造期间，执行基板处理。在一种基板处理中，利用处理气体中的分子解离所得到的离子对基板进行处理。作为这样的基板处理，已知一种等离子体处理。在等离子体处理中，通过激励处理气体来生成等离子体。利用来自所生成的等离子体的离子对基板进行处理。例如，利用离子对基板进行蚀刻。下述的专利文献1中记载有一种电子束激励离子等离子体发生装置。专利文献1中记载的装置构成为：使用电子束来生成等离子体，利用来自该等离子体的离子来执行基板的干蚀刻。专利文献1：日本特开平7-272659号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题伴随对电子器件内的元件提出的高集成化等要求，需要对开口的深部进行基板处理。例如，需要能够对具有高的深宽比的开口的深部进行基板处理，或者在基板形成具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理方法，包括以下工序：/n从位于基板处理装置的腔室主体内的电子束发生器向该基板处理装置的腔室主体内的内部空间供给具有第一能量的电子，以使电子附着于被供给到所述内部空间的处理气体中的分子来生成负离子；以及/n向支承台的电极施加正极性的偏压，以将所述负离子向基板吸引，所述支承台在所述内部空间中支承被载置在该支承台上的所述基板。/n

【技术特征摘要】
20171110 JP 2017-2171201.一种基板处理方法，包括以下工序：
从位于基板处理装置的腔室主体内的电子束发生器向该基板处理装置的腔室主体内的内部空间供给具有第一能量的电子，以使电子附着于被供给到所述内部空间的处理气体中的分子来生成负离子；以及
向支承台的电极施加正极性的偏压，以将所述负离子向基板吸引，所述支承台在所述内部空间中支承被载置在该支承台上的所述基板。


2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述电子束发生器设置于用于关闭所述腔室主体的上端开口的盖体。


3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，
在供给电子的所述工序中，使所述电子以不使所述处理气体中的所述分子解离的方式附着于该分子。


4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
所述电子束发生器具有：
固体发射体；
一对第一电极；
第一电源，其构成为向所述一对第一电极间施加电压，以使所述一对第一电极间产生电场而从所述固体发射体射出电子；
一对第二电极；
第二电源，其构成为向所述一对第二电极间施加电压，以使所述固体发射体射出的电子加速，
通过调整由所述第二电源施加于所述一对第二电极间的所述电压，来生成具有所述第一能量的所述电子。


5.根据权利要求1～4中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在施加正极性的偏压的所述工序中，利用所述负离子对所述基板进行蚀刻。


6.根据权利要求1～5中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，还包括以下工序：
从所述电子束发生器向所述内部空间供给具有第二能量的电子，以使得被供给到所述内部空间的所述处理气体中的分子解离来生成正离子，所述第二能量比所述第一能量高；以及
向所述支承台的所述电极施加负极性的偏压，以将所述正离子向所述基板吸引，所述支承台在所述内部空间中支承被载置在该支承台上的所述基板。


7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，
在施加负极性的偏压的所述工序中，利用所述正离子对所述基板进行蚀刻。


8.根据权利要求6或7所述的基板处理方法，其特征在于，
多次执行包括供给具有第一能量的电子的所述工序、施加正极性的偏压的所述工序、供给具有第二能量的电子的所述工序、以及施加负极性的偏压的所述工序的序列。


9.根据权利要求1～8中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，
在执行供给具有第一能量的电子的所述工序之后，执行施加正极性的偏压的所述工序。


10.一种基板处理装置，具备：
腔室主体，在该腔室主体中提供...

【专利技术属性】
技术研发人员：久保田绅治，永关一也，横田聪裕，玉虫元，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP